禾望电气申请虚拟阻抗技术专利,使虚拟阻抗控制策略能够对故障期间...
包括:设计合适的电流限制虚拟阻抗比例增益和电流限制虚拟阻抗感阻比;根据电流限制虚拟阻抗比例增益和电流限制虚拟阻抗感阻比确定虚拟电感模型和虚拟电阻模型;根据虚拟电感模型和虚拟电阻模型构造虚拟阻抗压降模型,使用虚拟阻抗压降模型减小电压环参考电压值,从而减小电流参考值,实现输出电流的减小。
吃透MOS管,看这篇就够了
普通晶体三极管在饱和导通是,几乎是直通,有一个极低的压降,称为饱和压降,既然有一个压降,那么也就是;普通晶体三极管在饱和导通后等效是一个阻值极小的电阻,但是这个等效的电阻是一个非线性的电阻(电阻上的电压和流过的电流不能符合欧姆定律),而MOS管作为开关管应用,在饱和导通后也存在一个阻值极小的电阻,但是这...
二极管(3)二极管的关键参数
压降:二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。导通压降:二极管开始导通时对应的电压。正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增...
电缆直径、载流量该怎么计算?(附超全对照表)
铜芯线的压降与其电阻有关,其电阻计算公式:20℃时:17.5÷截面积(平方毫米)=每千米电阻值(Ω)75℃时:21.7÷截面积(平方毫米)=每千米电阻值(Ω)其压降计算公式(按欧姆定律):V=R×A线损是与其使用的压降、电流有关。其线损计算公式:P=V×AP-线损功率(瓦特)V-压降值(伏特)A-线电流(安培)2...
如何增强系统鲁棒性?这三样法宝请您收下!
电池随即接通,现在承载负载电流,这同样会在电池阻抗两端产生压降,导致电池端电压下降。同时,在无负载情况下,主电源端电压升高,使得VS试图接管。在这种情况下,就会在两个电源之间持续振荡直到两个电压彼此偏离为止。其次,24V系统电源的电压范围为19.2VDC(最小值)至30VDC(最大值),峰值电压瞬态可高达60V。备用...
USB Type C规范详解|电缆|电源|端口|插座|usb_网易订阅
USB高频阻抗说明SDP屏蔽差分线的阻抗控制在90Ω±5Ω,单端同轴线控制在45Ω±3Ω(www.e993.com)2024年9月16日。阻抗应该用200ps(10%-90%)的上升时间来评估。电源VBUS和GND;如下图,电源的压降要小于500mV,Gnd上面的压降要小于250mV.配置通道CCpin科普配置通道CC的用途如下:...
英唐智控:IGBT功率半导体器件兼具MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管...
英唐智控(300131.SZ)9月29日在投资者互动平台表示,IGBT功率半导体器件兼具MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点,是上海芯石目前重点的研发产品之一。目前正处在样品的工程验证阶段。(记者蔡鼎)免责声明:本文内容与数据仅供参考,不构成投资建议,使用前核实。据此操作,风险自担。每日经济新闻...
电缆压降原因是什么?如何计算?
英语中“Voltagedrop”是电压降,“drop”是“往下拉”的意思。电力线路的电压降是因为导体存在电阻。正因为此,不管导体采用哪种材料(铜/铝)都会造成线路一定的电压损耗,而这种损耗(压降)不大于本身电压的5%时一般是不会对线路的电力驱动产生后果的。例如380V的线路,如果电压降为19V,也即电路电压不低于361V,就...
为什么说新能源汽车的核心是IGBT?
什么是IGBT?IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。与以前的各种电力电子器件相比,IGBT具有以下特点:高输入阻抗,可采用通用低成本的驱动线路;高速开关特性;导通状态低损耗。IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,在综合性能方面占有明...
电池容量怎么算?一文彻底搞懂电池电量监测技术
我们在TI的很多文档当中会碰到DOD这个概念,DOD实际上和SOC是一个相对的概念,它们表示的实际上是同一个意思,就是电池里面剩余的电量是多少,或者说这个电池从满充状态已经放了多少电了,是表示这种程度的。1.8抗阻与温度和DOD有关那么电池的阻抗受影响比较大的有温度和容量百分比,也可以用刚才所说的...