【专利解密】长江存储3D NAND闪存领先全球

简而言之,长江存储的3DNAND存储器专利,通过在衬底上形成具有凹槽的三维图形来形成三维结构的电容器,保证半导体器件的集成密度较大,从而缓解了电容器对半导体器件的尺寸缩小的限制问题。长江存储是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储致力于成为存储技术的领...

经典回顾|赛迪科创“独角兽”观察:中国领先的3D NAND闪存设计制造...

中国领先的3DNAND闪存设计制造企业——长江存储长江存储专注于3DNAND闪存的设计与制造,向全球合作伙伴提供3DNAND闪存晶圆和颗粒,以及嵌入式存储芯片、消费级和企业级固态硬盘等产品和解决方案。产品广泛应用于移动通信、消费电子、服务器以及数据中心等领域。长江存储自主研发的Xtacking技术颠覆了传统NAND闪存架构,实现...

三星业内首先量产3bit 3D V-NAND闪存

3bitV-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品,每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成,单片闪存的存储容量可达128Gb。利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术(3DChargeTrapFlash),各个存储单元把电荷存储在绝缘体中,并通过存储单元阵列一层接一层地向上垂直堆叠,制造出含有数十亿个存...

美光推出 2650 固态硬盘:搭载最新第九代 3D TLC NAND 闪存,7 / 6...

IT之家7月31日消息,美光在发布其第九代276层3DTLCNAND闪存的同时,也推出了搭载该闪存的2650固态硬盘。该盘面向日常PC和笔记本使用,属于消费级OEM产品。美光2650采用PCIe4.0×4接口,外形可选M.22230/2242/2280三种尺寸,容量覆盖256GB、512GB和1TB,均为单面设计。得...

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图:目标2027年实现1000层堆叠

在3DNAND闪存的层数挑战上,铠侠似乎比三星更有野心。三星在上个月表示,计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片,其中将引入新型铁电材料应用于NAND闪存芯片的制造上,以实现这一目标。铠侠在去年推出了BiCS83DNAND闪存,为218层。利用了1Tb三层单元(TLC)和四层单元(QLC)的四个平面,通过创新的横向收缩技...

江波龙 XP2300 系列 PCIe 4.0 SSD 发布:236 层 3D TLC 闪存

IT之家7月31日消息,江波龙今日推出了FORESEEXP2300系列PCIe4.0M.22280SSD,并公布新品的具体参数信息(www.e993.com)2024年11月22日。FORESEEXP2300PCIeSSD搭载236层3DTLC闪存颗粒,采用了新一代PCIe4.0SSD控制器,容量覆盖256GB~4TB,顺序读写速度最高可达7400MB/s和6700MB/s;随机读写速度最高可达107...

全球NAND闪存行业下游需求扩大 3D、4D NAND为技术主流发展趋势

1、NAND闪存概述NAND闪存是一种通过在氮化硅的内部补集点捕获电子或空穴来存储信息的设备。在这种设备中，工作区和栅极间会留有通道供电流通过硅晶片表面，而根据浮置栅极中存储的电荷类型，便可进行存储编程(“1”)和擦除(“0”)信息的操作。同时，在一个单元内存储1个比特的操作被称为单层单元(SLC)。氮化硅...

铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠

IT之家6月28日消息,铠侠(Kioxia)结束为期20个月的NAND闪存减产计划,日本两座工厂生产线开工率提升至100%之后,上周披露了其3DNAND路线图计划。根据PCWatch和Blocks&Files的报道,铠侠目标在2027年达到1000层的水平。

3D闪存哪家强:姜还是三星的辣 长江仅次之

近日,市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、铠侠(西部数据)、YMTC的200层以上的3DNANDFlash进行了对比分析,发现三星的垂直单元效率(VCE,verticalcellefficiency)是最高的。传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构,包括控制栅极(ControlGate)和浮动栅极(FloatGate)。通过向单元施加电压,电...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。