第三代半导体争夺战开启,国内外供应商竞争正烈
2024年9月2日 - 国际电子商情
在意法半导体、英飞凌、罗姆、Wolfspeed、安森美和X-fab等多家头部企业发布的财报中我们也看到,部分企业调低了碳化硅的营收增长目标。车用功率器件仍是主”战场“从物理特性来看,SiC与硅材料的电子迁移率相差不大,但其禁带宽度、击穿电压、热导率和电子迁移速度分别是硅材料的3倍、8倍、4倍和2倍。同时,高达9.5...
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功率模块IPM、IGBT及车用功率器件
2024年4月2日 - 电子工程专辑
碳化硅的禁带宽度约为硅基材料的3倍,临界击穿场强约为硅基材料的10倍,热导率约是硅基材料的3倍,电子饱和漂移速率约是硅基材料的2倍。碳化硅材料的耐高压、耐高温、高频特性相较于硅基器件能应用于更严苛的工况,可显著提高效率和功率密度,降低应用端的成本、体积和重量。图1各类半导体材料性能对比根据Yole数据...
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中国芯片究竟什么水平?
2019年2月10日 - 电子工程世界
学术点说,取决于价带和导带之间的禁带宽度。这里有个问题,一旦细轨道变少了,能不能挤成宽轨道就不好说了,所以能带理论本质上是一个近似理论,不适用于少量原子组成的固体。半导体离芯片原理还很遥远,别急。很明显,像导体这种直男没啥可折腾的,所以导线到了今天仍然是铜线,绝缘体的命运也差不多。半导体这种...
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