跳过浸润式DUV,我们的目标,是直接研发EUV光刻机

按照光刻机的类型，生产65nm芯片的光刻机叫做干式DUV光刻机，也称之为ArF光刻机。生产45-7nm的光刻机，叫做浸润式DUV光刻机，也称之为ArFi光刻机。这两者光源一样，都是采用193nm波长光源，工作台一样，物镜系统也一样，唯一不同之处是干式DUV光刻机，以空气为介质。而浸润式光刻机，在晶圆前加了一层水...

中国首台DUV光刻机震撼亮相,开启芯片制造新时代

光刻机作为制造芯片的核心设备，其地位不容小觑。简而言之，光刻机用于将设计图案转移到硅片上，形成电路结构。芯片如同电子设备的大脑，承担着信息处理与存储的重任，而光刻机则是赋予其形状和功能的“手术刀”。没有精准的光刻技术，现代电子产品的运作将受到严重影响。随着科技的飞速发展，芯片需求日益增长，光刻...

全新国产DUV光刻机曝光:“套刻≤8nm”是个什么水平?

氟化氪光刻机其实就是老式的248nm光源的KrF光刻机,分辨率为≤110nm,套刻精度≤25nm;氟化氩光刻机则是193nm光源的ArF光刻机(也被成为DUV光刻机),但披露的这款依然是干式的DUV光刻机,而非更先进的浸没式DUV光刻机(也被称为ArFi光刻机)。从官方披露的参数来看,该DUV光刻机分辨率为≤65nm,套刻精度≤8nm。

媒体曝国产DUV光刻机成功研发,这意味着什么

根据工信部的信息,氟化氩光刻机使用波长为193纳米的激光作为光源,具备极高的分辨率(小于或等于65纳米)和精准的套刻精度(小于或等于8纳米),可用于制造先进制程的芯片。尽管它并不是最新一代的极紫外光刻机(EUV),但在7纳米及以上制程节点的芯片制造中仍然具有举足轻重的作用。更为重要的是,氟化氩光刻机技术的进步...

国产首台DUV光刻机?工信部突然宣布,外媒:ASML彻底“破防”了

从目录中我们可以看到,目前我们的氟化氩光刻机的套刻精度已经达到了8nm以下,分辨率也达到了65nm以下,而且该光刻机是Arf光刻机,也就是所谓的DUV光刻机,也就是说我们国内首台DUV光刻机已经成功面世了!虽然从参数来看,该光刻机的单次曝光能够达到65nm制程左右,进行多重曝光后也能达到28nm制程的样子,相当于ASML于...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

国产光刻机实力几何?据工信微报发文,此次指导目录是为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同(www.e993.com)2024年11月1日。具体来看,氟化氪光刻机晶圆直径为300mm(12英寸);照明波长为248mm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm。

国产DUV光刻机问世后,各国反应不一,韩国兴奋,美国失望

再解释清楚一些,国产duv光刻机可以满足95%以上的芯片需求。而阿斯麦尔生产的euv光刻机可以满足5%的高端芯片需求。所以,咱们国家暂时有duv光刻机就已经足够使用。国产duv光刻机的出现,增强了我国的自主创新能力,让美西方国家不能继续卡我们的脖子,我们拥有了在半导体制造方面的自主权。

我国国产 DUV 光刻机迎来里程碑式进步,套刻≤8nm

目前来说,光刻机共经历了五代的发展,从最早的436波长,再到第二代光刻机开始使用波长365nmi-line,第三代则是248nm的KrF激光。第四代就是193nm波长的DUV激光,这就是ArF准分子激光。图源:平安证券ArF(氟化氩)准分子激光源光刻机,光源实际波长突破193nm,缩短为134nm,NA值为1.35...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

而在光刻机物镜和晶圆之间加入超纯水,把水作为介质,不仅变相地把光源波长等效缩短,也变相地提升了NA数值。而这种加入了超纯水的光刻机被称为浸没式光刻机,由此DUV光刻机也能达到光学分辨率的天花板。然而,浸没式光刻机理论上容易,但工程实现相当麻烦。有着“浸润式光刻机之父”之称的林本坚,在台积电任职期间,...

里程碑!工信部推广国产DUV光刻机:套刻≤8nm

工信部推广国产DUV光刻机:套刻≤8nm快科技9月14日消息,近日,工信部发布《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》。工信微报介绍称,重大技术装备是国之重器,事关综合国力和国家安全。中国首台(套)重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品,包括整机设备...