讲透三极管_手机新浪网
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!
33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭合的...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
放大状态时,集电结反偏。反偏时,应该由少数载流子导电,而此时,基区里面,恰好有大量的少数载流子。那么,反偏的集电结,会出现很大的电流Ic,就一点也不奇怪了。---由于三极管制作工艺的特点,基区复合的电流Ib,和集电极反偏的电流Ic,存在一个比例关系,即:Ic=/β1*Ib/β是β上面加一横。
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根据外加电压方式的不同,三极管也存在三种状态:1截止区,2饱和区,3放大区。截止区,发射极电压小于开启电压,且集电结反偏;饱和区,集电结跟发射结处于正偏;放大区,发射结正偏,集电结反偏。但是,不管是PNP的三极管还是NPN的三极管,都可以用锗或者硅两种材料制作,所以三极管又可以分为锗三极管和硅三极管。
干货| 这样讲解ESD太容易理解了
以NMOS为例,原理都是Gate关闭状态,Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的,当I/O端有大电压时,则Drain/BulkPN结雪崩击穿,瞬间bulk有大电流与衬底电阻形成压差导致Bulk/Source的PN正偏,所以这个MOS的寄生横向NPN管进入放大区(发射结正偏,集电结反偏),所以呈现特性,起到保护作用(www.e993.com)2024年9月11日。PMOS同理推导。
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
这就导致了以上我们所说的结论:反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的,甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”,也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态。三极管在饱和状态下,集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位,集电结处于零偏置,但仍然会有较大的集电...
电巢:为什么我努力学模电,还是学不好?
当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门,如下方动画所示:b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电结,形成电流Ic,如下方动画...
科普:电子技术的主要知识
基极开路时集电结处于反偏,发射结处于正偏,此时通过集电极的电流好似直接从发射区穿透到集电区的,故称其为穿透电流。对这种情况下的载流子进行分析,可得到穿透电流Iceo与集-基极反向饱和电流Icbo的关系式Iceo=Iceo+βIcbo=(1+β)Icbo由于Iceo的存在,所以集电极电流应为...
5G射频芯片中的半导体|慧智微论坛
图:正偏及反偏下的p-n结从“晶体管”开始,直到改变世界只是用p-n结二极管,还不足以设计集成电路。在半导体物理的基本原理被人类掌握之后,人类就开始用半导体材料设计制造一些特殊器件。比如:利用半导体导电性能与温度之间的关系,可以设计出热敏电阻,来感知温度变化;利用有些半导体导电性能与光照之间的关系,可...