DRAM供应短缺风险增加,制造商转向HBM生产
DRAM供应短缺风险增加,制造商转向HBM生产由于AI与"HBM"的大肆宣传,DRAM产业很有可能面临晶片供应不足。DRAM市场的情况让人欣慰之余,也让人吃惊不已。然而,人工智能的繁荣看起来也挽救了这个特别的行业。MyDrivers报导说,随着对AI的大肆宣传,三星、SK海力士等厂商将重心转移到企业级记忆体及HBM上,而D...
三星大罢工“主战场”转向HBM工厂!DRAM新一轮涨价蓄势待发
三星在DRAM主流应用之一的DDR系列存储芯片领域(如DDR4、DDR5)以及NAND存储主流应用之一的SSD,市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商。不同于HBM大规模应用于AI数据中心,DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器,提供足够的内存容量和带宽,支持多任务处理和消费电子端数据集的处理,LPDDR(LowPowerDDR)系列则应用于智...
DRAM制造商南亚科计划将产能动态调降20%以内
DRAM制造商南亚科计划将产能动态调降20%以内《科创板日报》18日讯,南亚科跟进DRAM原厂调整产能、降低稼动率、弹性调整产品组合和资本支出,根据客户需求和市场变化动态调整,以应对市场疲软,预计产能将动态调降20%以内。(台湾工商时报)
DRAM的范式转变历程
可以看出,主要DRAM制造商的技术节点名称与实际设计规则之间几乎没有差异。来源:TechInsights技术节点名称对应的维度存在于存储单元阵列的有源区域(单元选择晶体管区域)。有源区域规则排列,排列的一半间距代表技术节点名称。换句话说,在D1x代(也称为18nm代或1Xnm代)DRAM硅芯片中,单元晶体管以约36nm...
指标性DRAM产品价格止跌持平 存储芯片最黑暗期已过?
得益于各大存储芯片厂相继开启减产,产业过剩情况缓解,同时行情跌势才下刹车。据日经新闻报道,DRAM价格已经止跌。存储芯片制造商和设备制造商确定的8月交易价格中,指标性产品8GBDDR4价格为每块1.48美元左右,已是连续第四个月环比持平。日本三井住友信托银行以三星、SK海力士、美光、西部数据存货为基础,计算得出平均库存...
DRAM涨价潮?三星、美光据报道酝酿提价15%-20%
DRAM涨价潮即将来临,预计提价20%(www.e993.com)2024年7月28日。据媒体1月3日报道,内存模块行业传出消息称,三星电子(208.25,0.00,0.00%)和美光等主要内存制造商计划在2024年第一季度上调DRAM的价格,幅度预计在15%到20%之间。业界分析认为,此举主要是为了改善盈利状况,其中价格上涨的重点将从NANDFlash转移到DRAM,尤其是DDR4和DDR5这两种类型...
中金:AI浪潮,HBM成为存储战略要地
延续Scaling方向:PlanerDRAM采用EUV和HKMG制造技术。我们观察到,DRAM的Scaling本预计在几年前停止,但新的技术解决方案使其延续到1β节点,目前1β正进入早期生产阶段。规模化成本的增加和基础物理的限制使得DRAM制造商在平面方向上的Scaling变得越来越具有挑战性。我们认为,新材料、新设备、新器件架构(如单体3DDRAM)以...
2024半导体复苏,关键看存储
那么什么时候会发生呢?在本文中,我们将MosMemory分为DRAM和NAND闪存,并尝试从各公司的价格趋势和销售(份额)趋势来预测全球市场何时完全复苏。在这个过程中,笔者想表明在存储器制造商之间,可以看到明显的盛衰。也许,内存厂商的重组或下调可能会发生。01.DRAM和NAND季度出货量趋势...
中金| AI浪潮之巅系列:HBM成为存储战略要地
延续Scaling方向:PlanerDRAM采用EUV和HKMG制造技术。我们观察到,DRAM的Scaling本预计在几年前停止,但新的技术解决方案使其延续到1β节点,目前1β正进入早期生产阶段。规模化成本的增加和基础物理的限制使得DRAM制造商在平面方向上的Scaling变得越来越具有挑战性。我们认为,新材料、新设备、新器件架构(如单体3DDRAM)以...
美光向手机制造商出货LPDDR5X 新工艺DRAM芯片样品
集微网消息,据多家外媒报道,美光科技周二表示,它开始向智能手机制造商提供基于LPDDR5X、低功耗双倍数据速率5X标准的最先进DRAM芯片的样品进行测试。最新的DRAM芯片采用美光最尖端的制造技术制造,称为1-beta。该公司目前批量出货采用其1-alpha技术制造的LPDDR5XDRAM芯片,并表示新的1-beta芯片的电源效率比旧版本提高了...