148页深度报告!前道设备全产业链梳理,全面分析九类前道设备|附...
2021年6月24日 - 电子工程世界
GAAFet(Gate-All-Around)预计为3nm以下芯片的电晶体结构,有望在未来几年保持晶体管持续微缩发展:GAAFet是一种多闸极电晶体,通过环绕式电子通道设计,增加闸级的接触面积。GAAFet是当前FinFet的进化版晶片生产技术,使晶片更小,处理速度更快且更省电,是一项全新的电晶体架构。根据行业预期,三星和台积电均已经投入GAA...
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GAAFet(Gate-All-Around)预计为3nm以下芯片的电晶体结构,有望在未来几年保持晶体管持续微缩发展:GAAFet是一种多闸极电晶体,通过环绕式电子通道设计,增加闸级的接触面积。GAAFet是当前FinFet的进化版晶片生产技术,使晶片更小,处理速度更快且更省电,是一项全新的电晶体架构。根据行业预期,三星和台积电均已经投入GAA...