世铨传感器SQB-1T:什么是SOI高温压力传感器 技术原理是
从原理上来说,SOI高温压力传感器主要利用单晶硅的压阻效应。当力作用于硅晶体上时,晶格发生形变,进而导致载流子的迁移率发生变化,从而改变硅晶体的电阻率。通过在SOI顶层器件层特定方向上刻蚀出4个压敏电阻,构成惠斯通电桥;在SOI的衬底层上刻蚀出压力背腔,形成压力敏感结构。SOI高温压力传感器的制备工艺涉及多道MEMS工艺...
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
刻蚀是一种重要的半导体制造工艺,其基本原理是通过化学或物理手段,将晶圆表面上的特定材料层部分性地去除,从而形成所需的器件结构或图案。刻蚀技术广泛应用于半导体工业中,包括集成电路制造、传感器制造、MEMS(微电子机械系统)制造等领域。3.1、刻蚀的概念和作用刻蚀的主要目的是在半导体器件的制造过程中,根据设计要求...
科普| 什么是TOPCon电池?一文带你全面了解!(建议收藏)
TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触的太阳能电池技术,实现更为良好的钝化效果。TOPCon电池结构为N型硅衬底电池,在电池背面制备一层超薄氧化硅,然后再沉积一层掺杂硅薄层,二者共同形成了钝化接触结构,有效降低表面复合和金属接触复合,为N-PERT电池转换效率进一步提升提供了更大的空间。TOPCon电池最...
科普| 什么是光伏电池片?光伏电池片的种类有哪些?
通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,在那里与被...
MEMS的原理、分类、常见工艺及工具概述
深反应离子刻蚀(DeepReactiveIonEtching,DRIE)是一种高精度的干法刻蚀技术,特别适用于制造具有高纵横比的微结构。DRIE通过使用等离子体产生的高能离子轰击硅片表面,刻蚀出所需的微结构。这种方法可以实现非常垂直和平滑的侧壁,是制造微流体设备和三维微结构的理想选择。
晶圆制造刻蚀工艺面试常见问题
请解释深硅刻蚀(DRIE)技术的原理及其主要应用(www.e993.com)2024年10月19日。在刻蚀过程中,如何处理等离子体损伤和电荷积累问题?请举例说明如何利用刻蚀工艺实现微纳米级结构的加工。在进行刻蚀工艺开发时,如何进行参数的筛选和优化?你如何处理刻蚀过程中由于掩膜与基材选择性不足导致的图形变形问题?
半导体及设备零部件景气度持续提升
按照工艺原理的不同,薄膜沉积设备可分为物理气相沉积(PVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备和原子层沉积(ALD)设备,三者各有优势。其中,CVD占沉积设备整体市场份额的64%,其技术路线较多且具有较好的孔隙填充和膜厚控制能力,是应用最广的沉积设备。据Gartner数据,在PVD设备方面应用材料具有绝对份额优势,占据85%的市场份额...
东海研究 | 深度:光刻机:国产设备发展任重道远,零组件企业或将...
其二,改进设计结构可以使相同精度水平下设计出的芯片具有更好的性能,更低功耗。但是无论是哪种改变,都需要以光刻机为核心的半导体设备进行支持,所以光刻是整个芯片制造过程中最关键的工艺之一,而光刻机又是光刻工艺环节中的核心设备。(2)光刻机工作原理类似胶片照相机,均是通过光线穿透将电路图形在晶圆表面成像,...
刻蚀工艺面试小结
刻蚀工艺的基本原理:刻蚀是通过物理、化学或物理化学的方法去除材料的一部分,通常是在曝光、显影之后,将掩膜图形转移到基底材料上的过程。刻蚀可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀通过等离子体或离子束去除材料,而湿法刻蚀使用化学溶液进行材料的选择性去除。
【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...
从工艺流程上看,首先以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉,在特殊温场下生长不同尺寸的碳化硅晶锭,再经过多道加工工序得到碳化硅衬底;然后在衬底上生长一层微米级的晶体得到外延片;外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成碳化硅器件。从成本构成看,碳化硅产业链70%的价值量集中在衬底和外延环节。硅基...