上海华力集成电路制造有限公司申请超级闪存及其制造方法专利,改善...
上海华力集成电路制造有限公司申请超级闪存及其制造方法专利,改善器件擦除性能金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“超级闪存及其制造方法”的专利,公开号CN118946147A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种超级闪存,器件单元包括位于源区...
深科技申请对闪存数据进行保存、读取、擦除的方法专利,提升闪存...
专利摘要显示,本发明公开了一种对闪存数据进行保存、读取、擦除的方法,包括在有新的数据包需要保存时,读取B区域中保存的A区域最新数据包所在的地址信息,作为当前地址信息;根据当前地址信息生成数据包保存地址信息;利用数据包保存地址信息保存该需要保存的新的数据包;保存成功后,将B区域记录的数据包数量增加1...
芯天下取得抑制闪存过擦除专利,使擦除存储单元可在不修复的情况下...
金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,芯天下技术股份有限公司取得一项名为“一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质“,授权公告号CN113409872B,申请日期为2021年6月。专利摘要显示,本发明公开了一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括:在对芯片中选中的存在过擦...
为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?
最初,EEPROM使用相同的HCI原理来擦除单元,但后来它们改用Fowler-Nordheim隧穿(FNT,场电子发射的波机械形式)来擦除和写入单元,从而消除了热载流子降解(HCD)的破坏性影响。HCD和FNT的应用都是物理损坏的主要来源,最终导致单元「泄漏」并使其变得无用。结合电荷捕获闪存(CTF),用更耐用、更强大的...
突破!长江存储的X3-6070闪存芯片每个单元可进行4,000次擦写循环
长江存储可能是唯一一家声称其3DQLCNAND与3DTLCNAND一样耐用的公司,其他闪存制造商在这方面也在取得进展。长江存储的X3-6070芯片的4,000次编程/擦除循环是一项伟大的成就。目前尚不清楚考虑到其只有128个活动层,这款芯片在竞争中的地位如何,而其他厂商则提供了拥有176层或更多活动层的QLC3DNAND设备。长...
...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停
据悉,西测测试采用算法图形和APG技术实现存储器地址自动累加、翻页功能,实现了对EEPROM、SRAM、NORflash等存储芯片读写擦除功能的自动测试(www.e993.com)2024年11月22日。据财联社不完全统计,截至发稿,包括恒烁股份、思科瑞、炬芯科技、兴森科技、中科蓝讯、东芯股份、普冉股份、北京君正、复旦微电、博敏电子、旋极信息等累计超10家上市公司在...
存储芯片,中国什么时候能成?
NANDFlash属于数据型闪存芯片,可以实现大容量存储、高写入和擦除速度,多应用于大容量数据存储。拥有SLC、MLC、TLC、QLC四种不同存储技术,依次代表每个存储单元存储的数据分别为1位、2位、3位与4位。其中SLC和MLC/TLC/QLC形成了截然不同两个赛道,因为SLC技术较老但寿命、可靠性最优的。从SLC到QLC,存储密度逐步提...
DIY从入门到放弃:“写放大”拿捏了你的SSD寿命!
接下来要说的是,SSD的写入机制和机械硬盘是完全不同的,NAND闪存是不能直接覆盖已有数据的,如果要写入的区块有文件,就需要先擦除掉原来的文件,才能重新写入。但是这又会带来一个问题,那就是SSD的写入最小单位是页(page),而最小的擦除单位却是块(block),也就导致了当用户要更新一小部分数据时,SSD需要擦除整...
九种计算机内存类型
光存储是使用激光从CD、DVD和蓝光光盘等光介质中存储和检索数据的存储的总称。大多数光存储光盘都是读/写的,允许您反复擦除新信息并将新信息重新刻录到其表面,但需要专门的驱动器。光驱的工作原理是发射低能激光束来扫描旋转的光存储介质的表面。写入和读取过程的速度取决于光盘的旋转速度。在微观层面上,光盘具...
复旦微电:公司拥有电可擦除只读存储器(EEPROM)、NOR 型闪存存储器...
复旦微电:公司拥有电可擦除只读存储器(EEPROM)、NOR型闪存存储器等每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:贵司生产存储器芯片或模组吗?复旦微电(688385.SH)3月31日在投资者互动平台表示,本公司拥有电可擦除只读存储器(EEPROM)、NOR型闪存存储器(NORFlash)和SLCNAND型闪存存储器(...