详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
3、第三代半导体材料:第三代半导体材料是指具有宽带隙(Eg≥2.3eV)的材料,代表包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)。这些材料在半导体照明、电力电子、激光器和探测器等领域有着广泛的应用,每个领域都有不同的产业成熟度。第三代半导体材料以其宽带隙特性,在高温、高频、高效率和...
普渡研发新型半导体纳米线激光器,有望用于光子电路和激光探测
其次,这种一维-二维混杂结构的半导体材料已经展现出独特的光电特性,能为进一步的性质研究和器件应用打下良好的基础。”他表示,本次杂化材料不仅具备独特的光电性能,并且具备较低的制备成本和加工成本(可溶液加工)。因此,这种新型半导体纳米线激光器有望被用于光子电路和光子计算器、激光探测及测距系统、生物医学探测...
综述:高性能锑化物中红外半导体激光器研究进展
VCSEL的输出功率通常受到小腔长的限制,基于二维光子晶体的带边共振效应的光子晶体面发射激光器(PCSEL)成为一种新型半导体激光器,基本结构如图4所示,兼具高功率输出、单模激射、高光束质量的优点,引起了国内外科研人员的广泛关注。图4二维光子晶体面发射激光器结构示意图结论基于锑化物材料的中红外激光器在医疗、通...
半导体专题:一文看懂薄膜生长
(3)激光热蒸发:使用激光将源材料加热到蒸发温度,然后将蒸发的材料沉积在基底上。这种方法通常用于高融点和难以蒸发的材料。PVD的优势包括对高熔点材料的处理、薄膜成分的精确控制以及高真空条件下的操作。2.2化学气相沉积(CVD)化学气相沉积是通过在气体中引入化学气体,并在表面上发生化学反应来形成薄膜的技术。CVD...
源杰科技2023年年度董事会经营评述
3)异质化合物半导体材料对接生长技术,实现高温、大电流工作环境中高速激光器芯片产品的高可靠性速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中,量子阱发光区一般使用铝铟镓砷(AInGaAs)等复合化合物半导体材料,因该材料在空气中易氧化,导致芯片在高温工作环境中快速裂化失效,极大限制终端室外通信设备的可靠性。
碳化硅集成光子学研究进展及其应用
III-V族化合物为直接带隙半导体,具有较高的电致发光效率,故由III-V族化合物制备的半导体激光器在光子学领域发挥着不可替代的作用[4,9](www.e993.com)2024年10月19日。如表1所示,III-V族化合物具有高折射率、大的二阶和三阶非线性等特点,所以一直以来III-V族化合物作为集成光子平台备受科研界和产业界的关注。尽管III-V族...
一种让人振奋的黑科技——硅光技术
三、硅光子芯片面临的封装困扰芯片封装是任何芯片的必经流程,关于硅光子的芯片封装问题,这是目前行业的一大痛点。硅光芯片的封装主要分为两个部分,一部分是光学部分的封装,一部分是电学部分的封装。从光学封装角度来说,因为硅光芯片所采用的光的波长非常的小,跟光纤存在着不匹配的问题,与激光器也存在着同样的问题...
一文读懂光量子技术|辐射|单光子|量子计算机_网易订阅
控制光子和目标光子在该网络的输出端出现,它们的状态已应用CNOT逻辑运算,条件是两个探测器都能检测到单个光子。这种检测事件发生的概率P<1:其余时间记录的是不同的检测模式,门会失效。这种非确定性CNOT门的成功概率可以通过量子隐形传态提升到接近统一的水平。其原理是,只有在成功检测事件表明非确定门(non-det...
2023诺贝尔化学奖解读 ——量子点|玻璃|光谱|光子|纳米|量子...
第三个优点,主要是相对于我们以前说的体材料的半导体发光,它光谱比较窄,我们知道光谱对应的光波长,光的波长对应的就是颜色,当它光谱比较窄的时候,说明它的颜色是比较锐利的,我们控制的时候,控制它发光丰富度,从而很好的调控颜色。第四个优点,是量子点特别小,(它)通过控制几个量子点构成一个像素(来发光),相比于...
联创光电2023年年度董事会经营评述
1、激光系列及传统LED芯片产品:2023年该板块实现主营业务收入1.79亿元,同比下降7.84%,主要是传统LED芯片产品销量下降所致。报告期内,公司增加了激光板块的研发投入支出,主动加快提升主要产品技术参数,激光器件及整机产品持续创新迭代,主要包括:研发完成更高功率波长锁定半导体激光器、完成光刃-ⅠB研制和光刃-Ⅱ优化升级...