工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机在列

中国首台(套)重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品,包括整机设备、核心系统和关键零部件等。《目录》中的电子专用装备目录下提到,集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机,光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。

中国光刻机再创辉煌:从436纳米到7纳米,国产技术直逼阿斯麦

近日，工信部发布的相关文件提到了氟化氩和氟化氪两款光刻机的精度能够达到8纳米以下。为了更直观地理解这一进展，可以将其与荷兰ASML公司推出的DUV光刻机——NXE:1980Di进行对比，其官方称其套刻精度为3.5纳米。由此可见，虽然我国新推出的DUV光刻机在多重曝光时的精度稍微落后于ASML的产品，但我们必须诚实面对这...

图说光刻机的4大核心技术

ArFi(ArF浸没式光刻):ArFi是"ArgonFluorideImmersionLithography"的缩写,指的是使用ArF(氟化氩)激光源的浸没式光刻技术。ArFi光刻技术使用193纳米波长的光源,通过浸没式在光刻机镜头和硅片之间使用液体(通常是水)作为介质,来提高光的分辨率。这种技术允许在45纳米及更大工艺节点的芯片制造中实现更高的精度。ArFi...

特大喜讯!中国第一台芯片光刻机成功交付使用!

尽管当前28纳米技术不处于行业的最前沿，但这一成就为中国在更高级别芯片制造领域的探索奠定了基础。有了这次成功的经验，未来向7纳米乃至更高精度发展的可能性大大增加。综合来看，28纳米光刻机的研发成功是一步重要的战略布局。它的意义不仅仅在于技术上的突破，更在于对国内外市场的深远影响。虽然道路仍然漫长且充满...

荷兰光刻机限令刚出,中国发布氟化氩光刻机,能突破8纳米限制吗

01中国自主研发的氟化氩光刻机顺利问世,套刻精度达到≤8nm,性能接近全球最先进水平。02该成果打破了荷兰阿斯麦公司的技术垄断,对美荷两国在光刻机领域的“技术封锁”策略构成有力回击。03由于此突破,荷兰政府开始担忧失去我国市场的潜在危机,光刻机市场的变局从依赖到自主掌控。

国产氟化氩光刻机实现8纳米以下的套刻精度

氟化氩光刻机作为集成电路生产的关键设备,其光源波长为193纳米,能够实现65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度(www.e993.com)2024年11月23日。这不仅意味着中国芯片制造商将能够使用更先进的国产设备,还有助于推动芯片产业链的国产化进程,增强国内芯片产业的竞争力。工信部发布《指引目录》,旨在促进首台(套)重大技术装备的创新发展和推广应用,...

日本尼康宣布全新ArF浸没式光刻机:精度小于2.1纳米、价格便宜30%

尼康宣布,将于2024年1月正式推出ArF193纳米浸没式光刻机“NSR-S636E”,生产效率、套刻精度都会有进一步提升。据悉,尼康这款曝光机采用增强型iAS设计,可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正,重叠精度(MMO)更高,号称不超过2.1纳米。分辨率小于38纳米,镜头孔径1.35,曝光面积为26x33毫米。

俄罗斯成功研制首台光刻机,可制造350纳米芯片,这代表了什么?

然而,在EUV光刻机这一领域,中国尚未取得突破。目前全球的领先者如台积电和三星,正在使用ASML的EUV技术生产精度高达3纳米甚至2纳米的芯片,这一技术的先进性使得中国与世界顶尖水平存在明显差距。相比之下,俄罗斯在这一领域的发展似乎更为缓慢,直到最近才开始涉足这一高端技术领域。

专家解读65纳米光刻机的分辨率 技术瓶颈与多重曝光潜力

该研究指出,对于0.93数值孔径的65纳米光刻机,单次曝光要求的套刻精度为8纳米,而在双重曝光模式下,要求进一步提高到5.6纳米。这意味着,即便是8纳米套刻精度,在双重曝光至40纳米分辨率的需求面前也显得不够。况且,40纳米仅是浸没式光刻机单次曝光的水平。

3纳米制程芯片为什么需要EUV光刻机和多重曝光技术?

第一步:理解光刻技术。光刻技术是指通过使用光将电路图案转移到硅片上的过程。传统上,我们使用的是193纳米的深紫外(DUV)光源。然而,随着芯片特征尺寸越来越小,传统DUV光源难以实现精细的图案。图:EUV光刻机第二步:引入EUV技术。EUV(极紫外光刻)使用13.5纳米的波长,可以更好地刻蚀出精细的图案。EUV技术有助于...