本征磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4外延薄膜中的量子化输运现象 | NSR

图1MnBi2Te4外延薄膜样品的制备与微纳加工流程示意图该研究同时发现,经历长时间退火的样品在高磁场下显示出完全量子化的霍尔电阻率的同时,仍具有较大的纵向电阻率。这与传统认为的高质量QAH绝缘体的输运现象不同——完全量子化的霍尔电阻率伴随接近为零的纵向电阻率,暗示宏观MnBi??2Te4薄膜可能由相互弱耦合的...

二维金属有机框架中的磁性实陈数绝缘体

然而,实陈数绝缘体尚未在时间反演对称性破缺的磁性体系中获得实现。近日,河北工业大学张小明教授、刘国栋教授研究组与香港大学陈聪博士、山东大学吴维康博士、新加坡科技设计大学杨声远教授研究组展开合作,首次在一系列二维金属有机框架(MOF)材料中实现磁性实陈数绝缘体(MRCI)。他们以MOF材料Co3(HITP)2为研究原型,该...

超导+量子反常霍尔效应,抓住量子计算的圣杯?|粒子|导体|潘建伟|...

之后,他们验证了实验中交叉安德烈夫反射过程的特征长度确实远大于铌中的超导相干长度,这就证明了这种超导效应是由量子反常霍尔绝缘体表面的手性边缘态诱导出了超导配对。实验原理:量子反常霍尔绝缘体薄膜(MIT)和超导电极(SC)中量子输运示意图05诺奖级的量子反常霍尔效应2018年国家自然科学奖一等奖,授予了清华大学薛其...

北京大学在高响应度光通信探测器研究中取得进展|光子|光通信探测...

近年来,彭海琳课题组主要从事二维材料物理化学与纳米器件研究,致力于高迁移率二维材料(石墨烯、拓扑绝缘体、氧硫族半导体)的控制合成、界面调控和器件应用研究。与合作者在国际上率先实现了4英寸超平整单晶晶圆石墨烯的生长(ACSNano2017,11,12337)和可规模化制备(ScienceBull.2019,64,659),并实现了高质量扭转...

PT对称性:让光信号处理更快更强

图4:实验测得的双环耦合结构的PT对称性基于绝缘体上铝镓砷的超低功耗高速全光波长转换近年来,绝缘体上铝镓砷(AlGaAsOI)在集成高非线性材料平台中表现突出。铝镓砷材料能够很好的兼顾双光子吸收和非线性,加上波导色散控制(如对波导横截面尺寸加以设计),可以获得超大转换带宽,该材料平台已在低功耗光频梳和光信号...

稳态强磁场实验装置在凝聚态物理学中的应用

拓扑绝缘体是指其体态为有能隙的绝缘体,而边界上具有导电通道的拓扑能带结构的材料(www.e993.com)2024年11月19日。电子在边缘态上传输时不会受到杂质的散射,不会消耗能量,因此具有巨大的应用潜力,有关拓扑绝缘体的研究也是当今凝聚态物理的热点。我国科学家对拓扑绝缘体的研究做出了巨大贡献。2009年理论预测了Bi2Se3家族为拓扑绝缘体,随后又理论...

电压调控型磁子晶体管 | 进展|方向|栅极|漏极|physics_网易订阅

图1.(a)电压调控型磁子晶体管原理示意图。(b)Vg>0时,底部NM/MI界面能带示意图,(c)栅极电压(Vg)调控底部NM/MI界面处传导电子概率密度示意图。Pt(8)/YIG(80)/Pt(5nm)磁子晶体管(d)Vg调控底部Pt/YIG界面自旋混合电导实部(Gr)数值计算结果与(e)Vg调控MECD效率实验结果。

南京大学「国家杰青」缪峰团队,半年发了五篇Nature子刊|磁场|信号...

图1:DA-MATBG器件的电学表征。a.双栅DA-MATBG器件的结构示意图。1.1°转角双层石墨烯的晶向与两侧相邻的h-BN晶体的晶向对齐。顶栅电压VTG和底栅电压VBG分别施加在顶部和底部的石墨栅极上。b.通过四探针法测量纵向电阻Rxx随VTG的变化关系,可以观察到对应于电中性点(chargeneutralitypoint,CNP)、能带绝缘体(band...

基于新奇物理现象的智能光子芯片

光子拓扑绝缘体为免受无序干扰的光输运提供了一条新的途径,具有广阔的应用前景。通过将非厄米物理和拓扑物理结合起来,可以实现在重构的非厄米结中进行任意的、鲁棒的光导向,其中手性拓扑态可以在增益域和损耗域的界面上传播[16—18],如图2(c)所示。图中的实心红点表示光,光的传播方向取决于具体频率,在两个带隙...

上海交大陈鹏课题组发现二维激子绝缘体新证据

图1(a)激子凝聚过程能带变化示意图;(b)单层ZrTe2的s偏振能谱图。通过上述方法,研究团队成功地发现单层ZrTe2在低温下会形成激子绝缘体。在相变温度(TC=180K)以下,角分辨光电子能谱发现价带在费米面附近打开97meV的能隙,该能隙随温度遵循典型的超导体间隙的BCS型行为。同时价带顶和导带底在动量空间形成...