上海工程技术大学2025研究生考试大纲:半导体物理

1.PN结的电流-电压关系;2.空间电荷区中的复合和产生电流;3.晶体管的电流放大作用;4.高掺杂的半导体和PN结;5.PN结的击穿;6.PN结电容;7.金属-半导体接触。复习重点:PN结的物理特性以及能带图,PN结接触电势差的计算,PN结的电流电压PN结电容的意义和计算,PN结的击穿机制和金属-半导体接触。第...

基于超晶格超导体发光结构的双光子发射

图1展示了超晶格SLED的示意图,并说明了库伯对如何通过超晶格结构被注入到PN结中以及这一过程是如何通过共振能带实现优化的。图1、超晶格SLED的势垒和电学特性:(a)超晶格SLED的示意图;库伯对被注入到n型侧,与从p型侧注入的空穴在PN结和紧邻超导接触的n型层中复合。由于超晶格引起的小带的存在增加了库伯对注入效...

??发光学报|直接型卤素钙钛矿X射线探测器结构设计研究进展

光电导型结构是最简单的器件结构,它的两个电极可以在同一平面,也可以垂直配置。这种结构的优势在于电极与吸收层之间界面损耗很小,同时由于结构简单,易于在商业化的TFT阵列上集成。光电二极管型一般由两个金属电极夹着钙钛矿活性层构成,根据工作原理还可以细分为肖特基结型、PN结型和PIN结型。这种结构通过电极与吸收层材...

半导体芯片,到底是如何工作的?

后者是一块P形半导体两边制作两个N型半导体。JFET的工作原理,简单来说,就是通过控制栅极G和源极S之间的电压(图中VGS),以及漏极D和源极S之间的电压(图中VDS),从而控制栅极和沟道之间的PN结,进而控制耗尽层。耗尽层越宽,沟道就越窄,沟道电阻越大,能够通过的漏极电流(图中ID)就越小。沟道被耗尽层全部覆盖...

氧化镓会取代碳化硅吗?一文看懂氧化镓 | 金刚石大会 | 碳材料展

表:半导体材料的长晶工艺对比图:直拉法生长氧化镓的示意图(Ref:Y.Yuan,etal.,FundamentalResearch,1,697,2021)2.2氧化镓的长晶工艺由于直拉法原料挥发较多,氧化镓的长晶工艺从直拉法逐步演变为有铱盖和模具的导模法,两种方法均需使用铱坩埚,目前导模法已成为主流的氧化镓长晶方法。

...光全谱吸收特征和高效电荷分离能力的三元硫化物纳米异质结构...

光催化产氢效率的提高,说明了所设计的独特三元结构-[ZnS-(CdS/metal)]-ZnS-[ZnS-(CdS/metal)]-ZnS-在电荷分离和电子传输方面具有显著的优势(www.e993.com)2024年11月13日。其中电子从一种半导体传输到两种互不接触的材料,从而形成两个富电子活性中心。该设计策略为利用适当组分进行能带工程调控与进一步增强其协同功能提供了新的视角,为合理设计...

二极管到集成电路——半导体技术进化之路

目前常用的白光LED是基于GAN材料制备的,其能带结构如图10所示,通过在PN结区增加周期排列的势垒陷阱,可以增强电子空穴复合几率,从而增强电光转换效率。除了特定波长激光器、照明LED,我们常见的OLED手机屏幕(采用了有机发光半导体)也是基于发光二极管制成的。图10发光二极管(LED)的能带示意图和LED产品...

芯片半导体全面分析(一):两大特性,三大政策,四大分类!

电生光:反之,若在PN结两端加以正向电压,半导体中的电子和空穴就会在结处相遇之后消失(复合),并产生一束光子,前提是制造PN结的材料为直接带隙半导体。PN结电生光的特性使它能制作成发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等,广泛应用于半导体照明、光通讯中的光源、3DSensing等领域直接带隙半导体,是指这种材料中的电...

LED百科基础篇:LED光源结构及原理

所谓LED,就是发光二极管(lightemittingdiode),顾名思义发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件,具有二极管的特性。基本结构为一块电致发光的半导体模块,封装在环氧树脂中,通过针脚作为正负电极并起到支撑作用。●LED主要结构发光二极管的结构主要由PN结芯片、电极和光学系统组成。当在电极上加上正向偏压...

2022中国光学十大进展发布|显微|光谱|量子|光子_网易订阅

时空域精细操控半导体纳米晶能带结构浙江大学邱建荣团队与之江实验室谭德志团队合作,揭示了飞秒激光诱导空间选择性介观尺度分相和离子交换新规律,实现了对玻璃微区元素分布的精细调控,开拓了飞秒激光三维极端制造新技术,构筑了三维发光宽波段连续可调谐纳米晶结构,首次提出并展示这种三维微纳结构在超大容量超长寿命信息存储...