封装基板是属于PCB还是半导体,一文读懂!
当前国内基板制造工艺偏中低端,主要包括CSP、PBGA等,仅小部分厂商具备高端基板FC-CSP的量产能力。FC-BGA因内层线路步骤增加,导致加工难度高于FC-CSP产品。由于FC-BGA产品层数通常为高堆叠的8-14层,而FC-CSP为2-4层板,因此FC-BGA内建层需要多道积层工序处理,包括在双面核心板上进行ABF压膜,对特定孔位进行镭射钻...
台积电的晶圆厂 2.0:试图包揽先进芯片生产的一切|TECH TUESDAY
设计公司通过EDA等软件设计好电路图,交给制作掩膜的公司,形成芯片模版,芯片制造商拿到掩膜,在硅片上加工,经历清洗、光刻、蚀刻、掺杂、沉积、抛光等数百道工艺,经测试无误,切割成一个个的裸片(Die),然后交给专门的封测公司,封装进保护外壳,连接外部电路,经过最终测试后,将芯片成品交付给设计公司,再装进电子设备中...
晶圆衬底检测粗糙度、平面度、台阶高度——优可测白光干涉仪案例
红外探测芯片通常选择锑化镓(GaSb),锑化铟(InSb),碲锌镉(CdZnTe),碲化镉汞(HgCdTe)等材料作为晶圆衬底,再通过蚀刻、钝化、金属化、封装等一系列晶圆级封装工艺流程制造而成。晶圆衬底在这一过程中,晶圆衬底的表面粗糙度影响感光性能、分辨率/灵敏度;蚀刻台阶高度影响电子传输效率;平面度影响后期封装良率。因此,需...
塑料表面处理工艺,都在这!
九、电泳(水电镀)金属电沉积技术技术之一,通常用铬、锌等金属通过电化学在工件表面获得沉积层的金属覆层工艺。使塑料件外面变得有金属质感,并且使材料耐腐蚀耐磨各具有装饰性和电、磁、光学性能。电镀工艺中常见的材质的是ABS及PC等,但是由于素材在注塑成型过程中,如果使用了脱模剂或者模具油污滚掘沾到素材表面,导...
中金| 全球硬科技巡礼(二):观史思今,日本半导体材料创新何以屹立...
前道晶圆制造过程中的电镀主要是在晶圆上沉淀一层致密、无孔洞、无缝隙和其他缺陷、分布均匀的铜,起到铜互连作用;后道传统封装中,电镀液主要应用于引线键合电镀金属等场景。而在先进封装中,电镀主要应用于硅通孔、RDL重布线层及Bumping工艺中,其中硅通孔的填充方式分为电镀和CVD两种,电镀更适用于大直径的孔径,由于...
谁能替代铜互连?_腾讯新闻
如上所述,如此小的线宽可能与当今互连中使用的铜“双大马士革”(图2)不兼容(www.e993.com)2024年9月8日。虽然铜“双大马士革”的进一步优化仍在进行中,但表1中路线图中的最小互连尺寸将需要使用潜在的新材料,工艺以及集成方案的颠覆性方法。如表所示,互连线和通孔的相关尺寸将在约5和10nm之间的范围内,这可以用作金属选择以及工艺开发的指...
武汉大学汪的华/尹华意团队,最新Nature Sustainability!
图1.报废光伏板回收及回收产品示意图通过熔盐蚀刻回收银和硅回收工艺的核心是利用熔盐蚀刻分离银和硅。文章详细介绍了熔融NaOH-KOH如何选择性地与SiNx、SiO2和Al2O3等表面涂层发生反应,从而有效地将银线从硅晶片上剥离。这种方法大大缩短了加工时间,而且无需使用有毒的酸,是一种环保的替代方法。
技术前沿:半导体光刻
图形化工艺还包括光刻、光掩模、掩模、去除氧化膜、去除金属膜和微光刻。图形化工艺是半导体工艺过程中最重要的工序之一,它是用在不同的器件和电路表面上建立图形的工艺过程。这个工艺过程的目标有两个:1.在晶圆中和表面上产生图形,这些图形的尺寸在集成电路或器件设计阶段建立。2.将电路图形相对于晶圆的晶向及以所有...
冯明宪博士演讲:AI时代HBM产业发展探讨——华强北视角(二)
TSV工艺流程HBM中的TSV结构(2)微凸块技术凸块制造技术(Bumping)是一项关键的先进封装技术,它通过在芯片表面制造金属凸块来提供电气互连的“点”接口。这一技术在多个先进封装应用领域广泛应用,包括FC、WLP、CSP、以及3D封装等。凸块指的是定向生长在芯片表面的金属凸起结构,它们与芯片焊盘直接或间接相连,具备金...
图像传感器的堆叠与互联
1.4μm像素12MP图像传感器可以在1/120秒内以960fps的速度捕获图片并传输全帧数据。DRAM芯片与图像传感器芯片堆栈的连接是通过使用微凸块热压缩工艺将逻辑芯片与DRAM芯片键合中的TSV进行典型3D集成来实现的。虚拟芯片放置在DRAM芯片旁边,以补偿芯片尺寸差异。