EMI之传导,不得不学

另外,IC驱动MOSFET的栅极回路里也会回到IC的地而形成一电源回路,因为了减少开关损失,IC流入或流出MOSFET的栅极电流有时会超过1A以上,因此IC的输出至MOSFET的栅极与IC至地的走线也很重要,其回路就如同下图粉红色所示。在此以反激式架构来做说明,反激式简图如图25所示,MOSFET下方会串联一电阻(Rsense)来做电流侦测,...

详解开关电源的电磁干扰(EMI)防制技术

另外,IC驱动MOSFET的栅极回路里也会回到IC的地而形成一电源回路,因为了减少开关损失,IC流入或流出MOSFET的栅极电流有时会超过1A以上,因此IC的输出至MOSFET的栅极与IC至地的走线也很重要,其回路就如同下图粉红色所示。在此以反激式架构来做说明,反激式简图如图25所示,MOSFET下方会串联一电阻(Rsense)来做电流侦测,...

了解高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

Littelfuse独特且广泛的分立HV硅MOSFET产品系列能够承受高雪崩能量,从2000V至4700V,专门设计用于需要极高阻断电压的快速开关电源应用。这些n沟道分立HVMOSFET可以采用标准封装和独特封装供货,额定电流范围从200mA到6A,功率耗散能力范围从78W到960W。对比使用串联低压(LV)MOSFET方案,使用Littelfuse高压分立SiMOSFET...

干货|光伏微逆变器应用中的拓扑及工作原理分析

当MOSFETQ1关断,从漏感流过电路的电流还是原来的方向,它用来充电MOSFETQ1的输出电容Coss,漏感电流将充电Coss到PV模块输入电压再加上反射输出电压部分(Vpv+Vo/N),在这个阶段,输出二极管开始正向偏置,因为在变压器副边的电压变正了,存储在磁芯中的能量开始传递到副边以此充电系统输出电容和供给负载能量。第二个阶段...

车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇

谈到800V母线系统,让我们聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模块,由于碳化硅得天独厚的优势,使得它非常适合用来制造高耐压、高结温、高速的MOSFET,这三高恰好契合了800V母线系统对于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非常看好800V母线系统的发展,有一些研究机构,预测截至到2026年,SiC在整个功率器件市场的占比将...

碳化硅——让车载充电机(OBC)拥有更强竞争力

(七)所示,采用开尔文封装工艺,将传统的TO-247-3封装变成TO-247-4封装,可实现碳化硅MOSFET功率源极和驱动源极分开,有效降低碳化硅MOSFET关断时L*di/dt对碳化硅MOSFET栅极的影响,降低MOSFET误动作的风险(www.e993.com)2024年11月10日。图(六)TO-247-3封装碳化硅MOSFET关断过程简图

超能课堂(198):PC电源的同步整流与肖特基整流有什么区别?

同步整流电路的核心是MosFET(上图为ROGStrix750W电源)如果说肖特基整流的核心是肖特基二极管,那么同步整流的核心元件就是MosFET晶体管了。实际上从两者的原理简图来说,肖特基整流与同步整流的结构是非常接近的,基本上就是将下侧的肖特基二极管替换为MosFET晶体管。同步整流电路在运行的时候电流走向也是与肖特基二极管相同...

干货| 开关电源的电磁干扰(EMI)防制技术

在此以反激式架构来做说明,反激式简图如图25所示,MOSFET下方会串联一电阻(Rsense)来做电流侦测,其侦测的信号通常都很小来达到低功率损失(<1V),因此布线时要注意此电阻正端截取的信号线,若此信号线在回IC前有加电阻与电容的低通滤波器(RCfilter)。