...全面解读!具有大自旋霍尔角和共线自旋霍尔电导率的二维手性...
2DRPPs的低电导率,通常在10-5到10-7Scm-1数量级,在表征与自旋电子学相关的参数方面造成了挑战,特别是具有大带隙的铅(Pb)基2DRPPs的低同系物,限制了在这些晶体中电产生和检测自旋流的能力。迄今为止,2DRPPs中自旋极化的探测主要依赖于CP-PL和圆偏振光电实验。虽然这些研究已经证明了CP光可以产生螺...
...作为第三代半导体材料的典型代表,具有高禁带宽度、高电导率...
晶盛机电董秘:尊敬的投资者,您好。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越物理特征,在新能源汽车、新能源发电、轨道交通、航天航空、国防军工等领域的应用有着不可替代的优势。2023年11月4日,公司举行了“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式,...
西交大李强团队:剥离-自组装法制备的大面积hBN薄膜用于真空紫外...
另一方面,对于结势垒主导电导率的光电探测器,光照对器件势垒高度的降低和导电性的提升目前仍缺少一种科学的方法来进行衡量。对此,团队提出利用MSM型双肖特基结的电流-电压关系对器件的I-V进行分析(式1),提取出器件在光照前后的电学参数,并绘制3个器件对应的能带图。以PD1为例,光照后势垒高度降低了~0.21eV,串...
后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战
经过长时间的探索,北京大学团队发展出了一套系统的碳纳米管CMOS技术(图5),分别用金属Pd实现P型欧姆接触、用金属Sc或Y形成N型欧姆接触,P型和N型器件的电学特性对称,空穴与电子的迁移率均可超过3000cm2/V·s,开态电导更是达到了0.6G0,接近碳纳米管金半接触的量子电导极限[11,63-65]。这种碳纳米管CMOS技术完全...
国家战略资源:硒产业现状、政策影响及未来发展前景解析【小金属...
硒化锑(Sb2Se3)是一种新型无机薄膜光伏材料,具有禁带宽度合适,吸光系数大,材料物相简单,低毒,稳定,价格低廉,可较低温度制备等优点,发展潜力巨大。其优势在于:1、硒化锑(Sb2Se3)为直接带隙材料,Eg约为1.1eV,吸光波长到1100nm,只需1um薄膜就可以对太阳光进行充分吸收,单结电池理论光电转换效率达31%;...
2023年新能源汽车产业链10大投资热点
由于第三代半导体材料SiC、GaN具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特性,SiC、GaN材料制成的第三代半导体器件相比硅基器件具有耐高压、耐高温、功耗低、体积小、重量轻等优势(www.e993.com)2024年9月9日。在整车性能方面,搭载SiC的车辆损耗将会降低80%,充电速度可提高2倍。如果电机逆变器采用SiC模块,其...
7月12日上午,国际传来五个消息:印度又和中国“较劲”
它具有禁带宽度大、电导率高、热导率高等优点,适用于高温、高频、大功率微波器件等领域。随着电子产品的普及和发展,对镓的需求也在不断增加。然而,由于中国宣布对镓等物项实施出口管制,合法从中国获得镓的途径受到限制。这对于全球镓供应链来说是一个重要的变化。