Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN综述
2024年7月10日 - 网易
在传统的冯·诺依曼架构中,中央处理器(CPU)和存储器的分离会导致数据传输过程中的延迟和能量消耗(图1a)。为了突破这些瓶颈,近年来出现了NVIDIA的多核图形处理器(GPU)和谷歌的张量处理器(TPU),以及基于非易失性存储器(NVM)的存内计算(IMC)技术(图1b)。铁电存储器(FeM)器件由于低功耗、高运行速度和优秀的疲劳...
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数据中心末端配电与智能小母线技术及多回路监控装置分析
2022年3月23日 - 网易
5.3.5数据存储本设计采用FM31256带有时钟的铁电存储器,在实现数据存储的基础上集成有实时时钟,进行各种故障或是状态的记录。5.3.6CPU结合本设计的硬件方式及软件处理方式,本设计中的CPU采用ST公司的基于ARM最新的、进行架构Cortex-M3内核的32位处理器STM32F103VBT6,时钟频率最高可达72MHz,内置128K的Flash、20K...
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国芯思辰|盘点FRAM(铁电存储器)在医疗器械领域中的应用
2021年7月23日 - 网易
·储存设定参数(FRAM的高可靠性);·(防止无限电池发生故障时,患者的图象丢失)数据缓冲存储器(FRAM高速读写/高读写耐久性,实现实时频繁记录);·小封装(FRAM的小型封装SOP8)。9、便携式心电图仪选用FRAM的优势:·节能环保(FRAM无需电池,无需大电容)·储存参考数据或参数(FRAM的高可靠性)·患...
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薄膜沉积设备行业深度报告:工艺升级提升需求,加速国产化进程
2022年5月30日 - 腾讯新闻
此时,高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才能满足;另外,以铁电存储器(FeRAM)为例,其由电容和场效应晶体管组成,电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜,对于薄膜厚度、质量要求非常高,用ALD工艺可以满足要求,进而满足一些新兴存储器的高写入速度和更长的读写...
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