联芸科技:以芯赋能数智世界 努力成为世界一流集成电路设计企业

公司的主控芯片在功耗、性能、颗粒适配性和可靠性等方面可对标国际厂商,获得了市场的普遍认可。公司未来会继续夯实在该领域的技术、不断创新,随着主控接口速度和NAND闪存颗粒的演进,持续推出新一代有竞争力的产品。同时,公司正将固态硬盘主控芯片在功耗、性能、颗粒适配性和可靠性等方面独特的技术和架构用于嵌入式存储...

【芯智雲城】一文掌握铠侠(KIOXIA) SLC闪存产品系列和应用

NAND闪存根据密度差异,目前常见的闪存颗粒主要分为SLC、MLC、TLC、QLC四种类型,其中SLC又称为单层式储存,即每单元存储可1bit信息(1bit/cell),SLC的擦写寿命是5种颗粒中最长的,能够达到约10万次,读写速度最快、读写数据最精确、质量最好同时造价也是最贵的颗粒。产品应用于消费电子、物联网、汽车、工业、通信和...

国产闪存芯片自给率有待进一步提升

Flash芯片可分为NORFlash(代码型闪存芯片)和NANDFlash(数据型闪存芯片),其中NANDFlash芯片(即NANDFlash存储晶圆颗粒或封装片)是最重要的存储器芯片之一。NANDFlash存储芯片主要用于实现数据信息存储功能,其一般需要与能够对数据信息存储、输入、输出等进行管理的主控芯片结合,闪存主控芯片作为与存储器芯...

再度起诉美光,这家中企什么来头

与先前架构相比,Xtacking可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元,当两片晶圆各自完工后再将他们合二为一。根据长江存储官方说法,这一技术能够使产品开发时间缩短三个月,生产周期缩短20%。2022年11月,美国半导体资讯网站TechInsights发布了一篇文章,用“令人惊叹”等词语来形容长江存储232层闪存颗粒的上市量产。

【半导体·周报】中芯华虹对三季度指引乐观,半导体行业进入传统旺季

4.1.1.存储:DDR颗粒价格小幅上调,嵌入式市场行情按兵不动根据闪存市场公众号对存储行情的周度(截至2024.08.06)评述,近期,除铠侠外,其他四大存储原厂均发布了最新财报,对于三季度原厂仍然持涨价态度,但涨价幅度相对收敛,部分原厂为争取国内市占在价格策略上或将小幅调整定价,但调价空间有限,而原厂代理商也因...

存储亮剑!NAND技术多点突破

公开资料显示，SK海力士目前的4DNAND采用了PUC（PeriUnderCell，单元下外围）技术，将外围控制电路放置在存储单元的下方，较更传统的外围电路侧置设计可减少芯片占用空间(www.e993.com)2024年11月22日。而SK海力士未来的NAND将在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，此后采用W2W（晶圆对晶圆）形式的混合键合技术，将这两部分整合为完整的闪存。对...

德明利2023年年度董事会经营评述

公司为一家专业从事集成电路设计、研发及产业化应用的国家高新技术企业。自设立以来,公司的主营业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发,存储模组产品应用方案的开发、优化,以及存储模组产品的销售。公司经过多年积累逐渐形成自主可控的主控芯片与固件方案两大核心技术平台,结合产品方案设计及量产工具开发、存储模组测试等形成...

CFMS | MemoryS 2024圆满落幕!产业大咖精彩演讲内容合集

CFMS|MemoryS2024已经圆满落幕,期间包括三星电子、长江存储、SK海力士、Solidigm、铠侠、美光、高通、慧荣科技、电子元器件和集成电路国际交易中心、英特尔、Arm、江波龙电子、群联电子、德赛西威、宜鼎国际、联芸科技、忆恒创源、大普微、宏茂微、中国电信及CFM闪存市场发表了重要演讲。

中微半导体设备(上海)股份有限公司 2023年年度报告摘要

集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限,NAND闪存已进入3D时代。目前128层3DNAND闪存已进入大生产,200层以上闪存已处于批量生产阶段,更高层数正在开发。3DNAND制造工艺中,增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上,加工40:1到60:1甚至更高的极深孔或极...

存储芯片,中国什么时候能成?

转入2023年四季度,存储市场陆续有部分产品报价拉涨的消息传来,闪存市场报价也连续数周显示部分产品尤其NAND行情升温,涨价行情甚至从NAND蔓延至DRAM。不过,闪存市场分析表示,此轮涨价行情乃基于供应端减产涨价所致,终端的实际需求仍不够清晰,在终端需求明显回暖前,市况会受备货动作的影响呈忽冷忽热的波动。不过存储已经进...