【硬件资讯】半导体工艺仍将继续提升,三大半导体代工厂商展示下一...
堆叠式CFET架构晶体管是将n和p两种MOS器件相互堆叠在一起,未来将取代GAA(Gate-All-Round),成为新一代晶体管设计,以实现密度翻倍。英特尔是首个展示CFET方案的晶圆代工厂,早在2020年就公开了首个早期版本。这次英特尔介绍了CFET制造的最简单电路之一,即反相器的几项改进。CMOS反相器将相同的输入电压发送到堆栈中两...
MOS管驱动电路详解
MOS管具有很低的导通电阻,消耗能量较低,在目前流行的高效DC-DC芯片中多采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大,一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC-DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作...
最简单闪光灯电路图大全(晶体管/电容器/照相机闪光灯)
最简单闪光灯电路图(四)电路工作原理本电路采用高增益pnp型锗管vt3,vt4组成多谐振荡器,有两级反相器首尾连接,级间利用电容C3,C4耦合,其工作周期为1S。元件选择与调试本电路的三极管应选择集电极电流大于50ma的9012或9015,发光管应选择高亮度的发光管。若想改变闪烁的速度,可以调整C3、C4的容量,也可以用微...
应用于锁相环的脉宽调整电路的设计 (1)
设计该电路时,传输信号反相器中的MOS管采用最小特征尺寸,并保证较大的宽度,使MOS管开关迅速,提高电路的工作频率;作为电流源使用的MOS管,为减少沟长调制效应,晶体管的长度应该比较大,这样对减少噪声也有帮助。另外要注意的是,当控制电压处于电源电压一半时,调整P、N电流源电流基本一致,这一要求确定了它们的相对宽长...
CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计
在CMOS集成电路中,一般是用多级反相器构成的反相器链做输出缓冲器。这就是缓冲器插入技术和比例缓冲器的设计问题。笔者首先介绍等比缓冲器的设计原理,最后基于CSMC2P2M0.6μmCMOS工艺,针对各种缓冲器链的速度和面积优化情况,提出了一种优化的输出缓冲电路的设计,并应用在一款多功能数字芯片上参与MPW计划流片。
模拟集成电路设计流程--ESD保护电路和PAD电路
除了I/O中ESD保护电路外,电源和地也需要相应的保护电路,电源和地之间需要clamp电路,为了安全,也会搭配GGNMOS作为保护(www.e993.com)2024年7月31日。上图是全芯片ESD保护电路的一种,其中红色虚线标注的是电源clamp电路,在设计时需要根据具体的ESD要求选择RC网络的时间常数以及ESD泄放管子的尺寸。
一文看懂CMOS集成门电路
首先是CMOS非门电路,也叫反相器,结构图如下:CMOS非门电路VT1是PMOS管,VT2是NMOS管,电源输入端A分别与MOS管的G极连接,电路的输出端分别与MOS管的D极相连,PMOS的S极接电源VDD,NMOS管的S极接地。CMOS反相器的工作原理如下:当A端为高电平时,VT1PMOS管截止,VT2NMOS管导通,Y端输出为低电平,也即A=1,Y...
MOSFET电路不可不知
实际上,MOSFET的栅极对驱动器来说就像一个电容器,或者驱动器可以通过分别对栅极进行充电或放电来非常快速地打开或关闭MOSFET。02MOSFET开关电路MOSFET工作在三个区域,截止区,三极管区和饱和区。当MOSFET处于截止三极管区域时,它可以作为开关工作。MOSFET开关电路由两个主要部分组成-MOSFET(按晶体管工作)和开/关控制...
硬件工程师需要知道的100个问题
因为MOS管和三极管关闭时,漏极D和集电极C是高阻态,输出无确定电平,必须提供上拉电平,确定高电平时的输出电压。20列举您知道的LDO(低压差线性稳压器)的型号。AZ1084、AZ1085、AZ1086、AMS1117、AS1581、APL5102、BL8503、AP1184、AP1186、LM7805、LM7812、LM7905、R1114、RT9169、RT9172、TPS73701、XC...
河南工业大学2019年硕士研究生入学信息科学与工程学院电子技术自...
12.了解二极管、三极管和MOS管的开关特性及简单门电路的工作原理,数字集成电路的结构,其它TTL门(与非门、或非门、异或门、三态门,OC门)的工作原理及TTL门的改进系列,其他CMOS门的工作原理。掌握正逻辑和负逻辑的含义,TTL反相器的工作原理,静态输入、输出、电压传输特性及输入端负载特性,CMOS反相器的工作原理及静态...