电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了,全干货!
维也纳整流器和T-NPC:■三电平配置降低了总谐波失真(THD)和开关上的电压应力■易于控制,每相只需一个驱动信号即可驱动背靠背开关■开关的母线电压减半■桥接引起的导通损耗■通过全开关替换实现双向转换交错并联Boost电路,单相:■减小电感器尺寸、电流应力和EMI■易于控制,电路简单,双倍/...
维安SiC MOSFET 产品系列及应用盘点
#维安SiCMOSFET应用推荐光伏:升压电路和逆变电路更高的频率,更低的开关损耗更高的功率密度充电桩模块:维也纳整流和DCDC变换更高的功率密度更高的开关频率更低的谐波辅助电源:WSCM01Kx170T2C更低的内阻,12V驱动电压下,Rdson仅为1Ω提供TO-263-7L和TO-247-3L,两种通用封装更低的损耗,更小的占板...
基于三相维也纳架构,以STM32G474RET6设计的双向15KW三相双向充电...
如下图所示,是三相维也纳拓扑的主要电路,三相整流桥,该电路使用碳化硅MOS,是考虑到逆变功能,如果不需要逆变,可以使用碳化硅二极管在整流桥,碳化硅二极管相较于快恢二极管,耐压,EMI以及抗浪涌冲击能力都会更好;每相一个双向开关由两个碳化硅MOS组成,共用驱动信号,降低了控制和驱动的难度,相比其他的组合,具有效率高,器件...
集成电路布图设计专有权公告(2022年5月6日)
布图设计权利人地址:陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼布图设计创作人:西安紫光国芯半导体有限公司代理机构:西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人:张倩布图设计创作完成日:2020年3月22日布图设计首次商业利用日:2020年9月30日布图设计登记号:BS.215603044布图设计申请日:2021年8...
集成电路布图设计专有权公告(2021年10月1日)
布图设计名称:BA1029布图设计类别:结构:其他技术:其他功能:其他布图设计权利人:重庆旭昶微电子有限公司布图设计权利人国籍:中国布图设计权利人地址:重庆市南岸区茶园新城区世纪大道99号B栋1-7层第6层布图设计创作人:李霜霜代理机构:北京维正专利代理有限公司...
直流充电桩的散热方式和防护等级【充电桩科普系列之十一】
直流充电桩融合了电力电子技术、嵌入式技术和IoT技术(www.e993.com)2024年9月17日。最大的难点是电力电子技术。在充电桩领域的电力电子技术是整流器技术。整流器的功率大小,从20世纪90年代的3kW发展现在的20kW-60kW,进步很快,但是,主流的电路拓扑仍然是三相维也纳(PFC)、LLC或移相全桥(DC/DC)。
国芯思辰|国产第二代碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用
新一代直流充电桩拓扑电路会把原来的PFC维也纳整流升级为采用第二代SiC碳化硅MOSFETB2M040120Z的三相全桥PFC整流。这样将大大减少功率器件数量,简化控制电路的复杂性,同时通过提高开关频率来降低电感的感量,尺寸和成本。DC/DC全桥LLC部分,升级为采用第二代SiC碳化硅MOSFETB2M040120Z的DC/DC电路,可以从原来的三电...
新能源汽车充电桩行业研究:需求快速发展,大功率快充未来已来
而针对推广大功率充电桩面临的成本制约,尤其是在城市寸土寸金的繁华地段建设充电桩面临的城市空间成本,碳化硅器件能够大大简化充电模块电路结构,提高充电桩的功率密度,降低充电桩系统应用成本。据英飞凌工业半导体,采用SiCMOSFET的三相全桥PFC整流电路,相比Vienna拓扑电路,能够大大减少功率器件数量、简化...
快速充电站的多用性会使电动车数量暴增
下图显示了电路和相关部分,如碳化硅栅极驱动器。此图显示了双有源全桥单相DC/DC变换器(DAB)的组成,左边是维也纳的高压桥整流器/PFC(700-800V),右边是电源电路,为电池充电(380-500v)。这样的安排可使叠加转换器实现高功率输出,并提供双向操作模式,支持电池的充放电应用。本设计的一些主要特点:...
【火腿DIY】齐润华:DIY小功率电子管发射机 | 让老古董焕发青春
按照同一个线路图装备出来的设备,总是有各自不同的装配电容(分布电容)。在调试设备选择零件具体数值时应该考虑到这一点。线圈的绕制数据见下面的表格。波段14MHz28MHz线圈骨架直径mm导线匝数绕组类型骨架直径mm导线匝数绕组类型...