MOS管开关电路设计,用三极管控制会烧坏?

MOS管开关电路我们一般会用一个三极管去控制,如下图!MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串...

为什么在MOS管开关电路设计中使用三极管容易烧坏?

我们一般会用一个三极管去控制,如下图!MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,电...

MOS管开关电路实例、功耗计算

在上图我们将N沟道mos管视为开关,mos管放置在负载和地之间。这也允许mos管的栅极驱动或开关信号以地为参考(低侧开关)。但在某些应用中,如果负载直接接地,我们需要使用P沟道增强型mos管。如下图所示。P沟道mos管开关电路在这种情况下,mos管开关连接在负载和正电源轨(高端开关)之间,就像我们使用PNP...

吃透MOS管,看这篇就够了

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...

为啥MOS 管需要驱动电路?

低边N沟道MOS管开关电路MOSFET,我们这里指的是增强型MOSFET(还有一种叫做耗尽型MOSFET),有两种类型:n沟道和p沟道。n沟道MOSFET需要在其栅极上施加比源极上高的电压才能打开。最低的打开电压称为阈值电压,Vth。打开任何n沟道MOSFET的数据手册,很快就会找到这个值。例如,小型高速开关器件Toshiba...

MOS管基础及选型指南

N沟道增强型MOS管结构示意图当将衬底B与源极S短接,在栅极G和源极S之间加正电压,即VGS>0时,如上图所示,则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场(www.e993.com)2024年11月4日。在这个电场的作用下,P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动,电子受电场的吸引向衬底表面运动,与衬底表面的空穴复合,形成了一层耗尽层。

【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器

上述电路中使用的元件是R1-4.7kR2-4.7kQ1-BS170(N沟道MOSFET)。两个电阻的容差均为1%。容差为5%的电阻也可以。BS170MOS管的引脚排列如下图所示,按漏极、栅极和源极的顺序排列。该电路结构由两个上拉电阻组成,每个电阻为4.7k。MOS管的漏极和源极引脚被上拉至所需的电压电平(在...

MOS管-IC电子元器件

1、N沟道MOS管(NMOS):沟道区域为N型半导体,栅极电压为正时导通。2、P沟道MOS管(PMOS):沟道区域为P型半导体,栅极电压为负时导通。3、增强型MOS管(EnhancementMOSFET):栅极电压为正时导通,栅极电压为零时截止。4、耗尽型MOS管(DepletionMOSFET):栅极电压为负时导通,栅极电压为零时截止。

集成电路布图设计专有权公告(2024年2月2日)

布图设计名称:EnhancementSiCMOS_XAA2C03AB布图设计权利人:杭州芯迈半导体技术有限公司布图设计创作人:杭州芯迈半导体技术有限公司布图设计创作完成日:2022年10月17日布图设计登记号:BS.235566489布图设计申请日:2023年8月16日公告日期:2024年2月2日...

基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)

1.以MOS管为受控开关P沟道MOS管的阻尼二极管正极端连漏极(D),二极管负极连源极(S),要使MOS不至于无控导通,源极(S)必须接电源Us的正极。图3.以MOSFET为受控开关2.比较器控制MOS管比较器的输入电阻极高,对电源及负载影响很小。图4.比较器控制MOSFET...