半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏
根据江丰电子公告,大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求最高,通常要求达到99.9995%(5N5)以上,平板显示器、太阳能电池用铝靶的金属纯度略低,分别要求达到99.999%(5N)、99.995%(4N5)以上。铝靶早已被用来作为集成电路互连和触点。铝的问题是电迁移和电阻高。由于半导体领域的进步,大规模集成电...
资料丨TiN薄膜沉积,创建薄膜,化学镀层金属薄膜
随着沉积温度的升高,电阻率降低至177??Ωcm到600°C时,表面粗糙度(Rq)增加至0.69nm,并且阶梯覆盖率恶化。为了获得即使在低沉积温度下也具有优异电阻率和台阶覆盖特性的高质量TiN薄膜,采用N2/He气体比例为3:2的组合对TiN薄膜进行等离子体后处理,以确认电阻率的变化。用于p型晶体硅表面表面钝化...
【测试案例分享】 Keithley电化学测试方法与应用
绝缘体的电阻率通常是通过对未知电阻施加电压并测量产生的泄漏电流来测量的。这是一个双端测试。体电阻率是直接测量通过材料的泄漏电流。表面电阻率被定义为绝缘体表面的电阻。图6显示了体积电阻率和表面电阻率的电路图。图6-体电阻率和表面电阻率测量图这些高电阻测量需要一种可以测量到非常低电流并且可以施加...
影响先进IC设计可靠性的热相关问题
在先进节点的芯片和封装中,热量正成为一个大问题,它可能会导致DRAM中关键电子的泄漏,3D-IC中出现时序和可靠性问题,以及不同工作负载下特有的加速老化问题。所有类型的电路都容易受到热效应的影响。热效应会减慢电子在导线中的移动速度,引起电迁移,从而缩短器件的使用寿命,还会影响晶体管的开关周期。在3D-IC和其它高...
晶圆制造为什么大马士革(Damascene)工艺替代铝制程工艺?
高频性能更好:由于铜的低电阻率,在高频工作时,铜互连会产生更少的寄生效应,从而提高高频电路的性能。2.电迁移抗性铜的电迁移抗性更强:电迁移是金属原子在电流作用下的迁移现象,容易导致金属互连断裂或失效。铜的电迁移抗性远优于铝,因此在高密度和高电流密度的情况下,铜互连的可靠性更高。
谁能替代铜互连?_腾讯新闻
这些问题可以通过选择理想情况下不需要阻挡层和衬垫层的替代金属来缓解,同时对小尺寸电阻率的敏感性较弱(www.e993.com)2024年9月9日。虽然这不能逆转单位长度线路电阻的增加,但我们将在下文中证明,在足够小的线宽下,替代金属和金属化方案的性能优于铜。在本文中,我们将介绍与选择潜在的替代金属用于高级互连相关的不同方面。甄选过程是多方面的...
覆铜板层压钢板:电子产业的基石与未来
覆铜板层压钢板,简称CCL(CopperCladLaminate),是一种由绝缘材料(如玻璃纤维布)浸渍树脂后,经过高温高压工艺固化,并在其表面覆盖一层或多层铜箔而制成的金属基复合材料。这种材料不仅具有低电阻率、高导电性和优异的电磁屏蔽性能,还具备高强度、高耐热性、耐磨损和耐腐蚀等特点。这些优异的性能使得覆铜板层压钢板在...
电缆直径、载流量该怎么计算?(附超全对照表)
P:电路总功率(KW)L:电源距负荷的距离(m)C:材料系数(380V时,铜取77,铝46.3;220V时,铜取12.8,铝取7.75)S:导线截面积(mm)8、不同金属导体电阻率几种金属导体在20℃时的电阻率(1)银1.65(欧)×10-8(米)(2)铜1.75×10-8...
锦州神工半导体股份有限公司 2023 年年度报告
若细微小孔的孔径不一致,会影响到电路刻蚀的精度,从而造成芯片良率的下降;同时,上电极19/2742023年年度报告及硅片托环与芯片同处于刻蚀机腔体中,受等离子体的刻蚀后,逐渐变薄,当这些硅零部件厚度减少到一定程度后,需替换新的硅零部件,以满足等离子刻蚀机所需要的工艺条件.因此,硅零部件是晶圆制造刻蚀...
锦州神工半导体股份有限公司 2023 年年度报告
若细微小孔的孔径不一致,会影响到电路刻蚀的精度,从而造成芯片良率的下降;同时,上电极19/2712023年年度报告及硅片托环与芯片同处于刻蚀机腔体中,受等离子体的刻蚀后,逐渐变薄,当这些硅零部件厚度减少到一定程度后,需替换新的硅零部件,以满足等离子刻蚀机所需要的工艺条件.因此,硅零部件是晶圆制造刻蚀...