复旦大学微电子学院周鹏团队与北邮合作揭示铁电晶体管中极化电导...

然而,由于铁电沟道场效应晶体管(FeCFETs)中存在铁电极子与电子重构耦合,无法继续沿用传统器件物理原理,使得FeCFETs中极化相关的电导调控机制变得难以精确控制。因此要实现高性能层状铁电半导体的先进逻辑和存储器件,就必须厘清铁电沟道极化与电导性物理关系这一根本问题。针对此领域挑战难题,复旦大学微电子学院周鹏/王水源...

垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)又有新消息

CFET(垂直堆叠互补场效应晶体管)是一种CMOS工艺,其中晶体管垂直堆叠,而不是像所有先前的逻辑工艺那样位于同一平面,比如平面工艺、FinFET、纳米片场效应晶体管(NSFET,也称为环栅或GAA)。CFET将会被用于未来更为尖端的埃米级制程工艺。本文引用地址:CFET的概念最初由IMEC研究机构提出,被认为是继环栅多通道...

哈工大(深圳)顶刊:二维集成电路领域取得重要研究进展!

该研究开发了基于超薄单晶铌酸镁高κ栅介质的二维场效应晶体管(FET)器件,突破了二维半导体材料与超薄单晶介电层的集成工艺和器件服役瓶颈,有效拓展了高可靠二维半导体晶体管和集成电路的实际应用。论文链接:httpsnature/articles/s41928-024-01245-6随着硅基芯片集成度的不断提高,芯片中最基本单元—场...

哈工大深圳校区徐成彦、秦敬凯团队在二维集成电路领域取得重要...

该研究开发了基于超薄单晶铌酸镁高κ栅介质的二维场效应晶体管(FET)器件,突破了二维半导体材料与超薄单晶介电层的集成工艺和器件服役瓶颈,有效拓展了高可靠二维半导体晶体管和集成电路的实际应用。随着硅基芯片集成度的不断提高,芯片中最基本单元—场效应晶体管(FET)的尺寸正逐渐逼近物理极限,面临短沟道效应和栅极漏电...

新书上架《半导体存储器件与电路》

2.3.1晶体管的亚阈值电流2.3.2降低SRAM的漏电流2.4涨落和可靠性2.4.1晶体管本征参数波动及其对SRAM稳定性的影响2.4.2时变可靠性问题及其对SRAM稳定性的影响2.4.3辐射效应造成的软错误2.5SRAM版图和微缩趋势2.5.16T单元版图2.5.2SRAM微缩趋势...

...牛刚教授课题组在关于二硫化钼铁电场效应晶体管光电探测器的...

图4.二硫化钼场效应晶体管能带图(www.e993.com)2024年11月14日。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials图5.在650nm光照下二硫化钼场效应晶体管的光电响应。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials图6.二硫化钼场效应晶体管负光电导效应原理示意图。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials

可重构晶体管登场,可用于构建有编程功能的芯片电路

IT之家3月29日消息,来自奥地利维也纳工业大学的科研团队近日开发出新型晶体管技术--可重构场效应晶体管(RFET),可用于构建具有可随时编程功能的电路。一颗CPU固然拥有数十亿个晶体管,但通常情况下是为执行一种特定功能而制造的。传统的晶体管开发和生产过程中有一道“化学掺杂”的步骤,就是为纯的本征半导体引...

NSR专题:用于集成电路的新兴材料和晶体管

用于先进节点集成电路二维弹道晶体管通讯作者段曦东湖南大学本文推介了北京大学彭练矛、邱晨光课题组近期Nature文章“Ballistictwo-dimensionalInSetransistors”。这项工作首次制造了二维弹道InSe晶体管,其整体性能超过了最先进的硅基场效应晶体管,并有力地证明了二维原子晶体应用于后摩尔电子器件中的优越性、可行性...

0.1纳米时代!巨头发力下一代晶体管CFET

近日，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET。张晓强指出，CFET预计将被导入下一代的先进逻辑工艺。CFET是2nm工艺采用的纳米片场效应晶体管架构后，下一个全新的晶体管架构。不仅是台积电，还包括三星、英特尔在内的芯片三巨头，都对CFET的...

基础知识之晶体管

FieldEffectTransistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。接合型FET多用于音频设备等的模拟电路中,MOS型FET主要用于微控制器等数字IC。GaAs型用于卫星广播信号接收等的微波增幅。※MOSMetalOxideSemicONductor的简称,因其构造分别是金属(Metal)、硅酸化膜(Oxide)、半導体(SemicON...