近红外光谱的新曙光
图7:使用热电冷却BLAZE相机获取的IcG聚合体的归一化PL光谱,该相机配置了-75°C的HR传感器和-100°C的LN冷却线性InGaAs阵列。HR传感器和InGaAs阵列的积分时间分别为15秒和100秒。实验使用了TeledynePrincetonInstrumentsSpectraProHRS-300光谱仪,该光谱仪具有600g/mm光栅,...
荧光光谱:具有匹配带隙和功函数的p–n结促进高效可见光催化析氢
图4.直接带隙TiO2、TiO2/Cu3N((αhν)2~hν)和间接带隙Cu3N((αhν)1/2~hν)的紫外-可见漫反射光谱(DRS)(a)和相应的Tauc图(b)。图5.(a)稳态光致荧光(PL)光谱,(b)时间分辨PL(TRPL)光谱。图6.(a)TiO2、Cu3N及TiO2/Cu3N的表面光电压谱(SPV);(b)在-0.97Vvs.RHE和>...
...基于平面拓展策略提升MR-TADF材料水平取向构建高性能窄光谱...
在掺杂薄膜中PL(c)和瞬态光致发光光谱(d)。光谱研究如图3所示,两种分子都展现出窄谱带蓝光发射,峰值/FWHM值分别为DPACzBN2的459/23nm和3QCzBN的464/22nm,结果与计算模拟非常吻合。在2,6-DCzPPy薄膜中的峰值/FWHM值分别为470/27nm和476/29nm(图3c)。重要的是,两种材料在掺杂薄膜中展现出极好的PLQY...
清华大学乔娟《AM》:协同的分子内非共价相互作用实现稳定高效纯...
图3.a-b)4TCzBN,4TDTBN,5TCzBN的分子结构、发光波长、C-N键BDE(a)及IGM图(b);c-d)4TCzBN与4TDTBN的溶液、薄膜PL光谱(c)以及薄膜瞬态PL光谱(d)。纯蓝光TADF-OLED及深蓝光TSF-OLED最后,为了验证4TDTBN的优异性能,研究人员构建了纯蓝光TADF-OLED及深蓝光TSF-OLED器件(图4a)。
使用PL和磷光表征OLED
可以通过几个小时内的低温光致发光和电致发光信号的定量测量来监测器件的寿命。这些测量是在低激光激发功率下进行的,以避免激光引起的退化效应,并且需要对PL信号进行灵敏检测。通过查看准分子态的光谱特征和准分子/单体信号比,薄膜磷光的光谱形状提供了有关材料成分以及激发态形成的信息。
6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究
研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25cm-2以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长(www.e993.com)2024年10月18日。引言碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,因其优异的材料特性,如禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子漂移速度快、热导率高,可以满足功率电子技术对高温、高功率、...
研究通过栅压调控协同等离激元增强实现二维半导体单光子源近100%...
图1等离激元纳米阵列增强的WSe2单光子源的栅压调控原理图和器件结构图。2.等离激元对单光子源亮度的增强图2a显示了在726nmCW激光激发下的PL强度图。可以发现强度较强的单光子源主要位于纳米间隙处,显示出SPE的可寻址制备和等离激元增强。图2b给出了SiO2基底上的SPE和纳米间隙上的SPE的PL光谱进行比较。
《食品科学》:江西农业大学王文君教授等:电化学发光在真菌毒素...
由表面缺陷效应产生的ECL光谱相比PL光谱有明显红移,且半峰宽明显大于PL光谱,采用元素或分子掺杂改变纳米材料表面态可对其光谱特征进行调控;将纳米材料表面钝化,如核壳结构的ZnS@CdSeQDs,可实现带隙效应ECL,其光谱特征与PL光谱基本一致,主要受纳米材料尺寸影响。
连续在Nature子刊等高水平期刊发表重要成果!超精准可调节温度控制...
华东师范大学武鄂教授使用超精准可调节温度控制模块VAHEAT对单光子发射源(SPE)在AlGaN微柱中的温度依赖性进行了研究。文章针对SPE在不同温度下的PL光谱、PL强度、辐射寿命等参数,探究了AlGaNSPE在高温下线宽加宽的可能机制,有助于深入研究如何实现此材料在高温下工作的芯片集成应用。
高安全性易制造的光学3D加密材料及方案
(d)Fl-PhMOF的HR-TEM(high-resolutiontransmissionelectronmicroscopy,HR-TEM)图像和FFT(Fouriertransformation,FFT)图像。(e)PhMOF、MAPbBr3(块状)和Fl-PhMOF的XRD图案。(f)Fl-PhMOF在254nm激发下的PL光谱。(g)使用Fl-PhMOF进行可逆的PL和RT-OP切换测试(比例...