半导体情报,中国科学家发明新型“热发射极”晶体管!
传统的晶体管,如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结晶体管(BJT),已经在现代集成电路中取得了显著成功。然而,随着应用对速度和功能的要求不断提高,热载流子晶体管作为新兴技术开始受到关注。热载流子晶体管是一类利用载流子过剩动能的设备,与常规晶体管依赖于稳态载流子输运不同,热载流子晶体管通过将载流子调节...
【Nature】金属所发明热发射极晶体管
a.转移特性曲线;b.亚阈值摆幅与电流关系图;c.亚阈值摆幅性能对比图;d.转移特性中电流的温度依赖性;e.临界基极偏压与集电极偏压关系图;f.临界基极偏压与缝隙宽度关系图;g.发射极电流与基极偏压关系图;h.载流子在晶体管中的流向图;i.器件能带图。图3.负微分电阻。a.输出特性曲线;b.输出特...
...牛刚教授课题组在关于二硫化钼铁电场效应晶体管光电探测器的...
图6.二硫化钼场效应晶体管负光电导效应原理示意图。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials该成果以“基于外延铁电栅的具有负光电导和高响应度的双极性MoS2场效应晶体管”(AmbipolarMoS2FieldEffectTransistorswithNegativePhotoconductivityandHighResponsivityUsinganUltrathinEpitaxialFerroelectricGate)为题...
AAT应用首创!革命性混合维度晶体管:使得集成电路设计更简单【附...
该团队创建了一种先进的化学气相沉积技术来创建一种新型的混合维度异质晶体管,该晶体管结合了高质量GaAsSb纳米线和MoS2纳米片的独特性能。新型反双极晶体管具有卓越的性能。由于混合维GaAsSb/MoS2结的强界面耦合和能带结构排列特性,异质晶体管具有突出的跨导翻转的抗双极性传输特性。跨导的翻转使响应输入模拟...
半导体芯片,到底是如何工作的?
█晶体管电子管高速发展和应用的同时,人们也逐渐发现,这款产品存在一些弊端:一方面,电子管容易破损,故障率高;另一方面,电子管需要加热使用,很多能量都浪费在发热上,也带来了极高的功耗。所以,人们开始思考——是否有更好的方式,可以实现电路的检波、整流和信号放大呢?
美国防部发布《数据、分析和人工智能采用战略》
美国加州大学洛杉矶分校开发出固态热晶体管据TechXplore网11月2日消息,美国加州大学洛杉矶分校研究人员开发出首个稳定的全固态热晶体管,实现更好的芯片热管理(www.e993.com)2024年9月11日。这种晶体管设计结合了原子界面上电荷动力学的场效应,可以通过电场的开关来管理热运动,开关速度超过1兆赫兹,具有1300%的热导可调性,以及超过100万次开关周期...
最新显卡天梯图2022
最新显卡天梯图2022能不能玩市面所有游戏?RTX4090最新显卡天梯图2022最新显卡天梯图20222022最新显卡天梯图>>>点击查看这个天梯图可以直接查看显卡性能排名,根据自己的需求找到2022年性价比最高的产品,排名越靠前性能越强悍,评分主要依据为显卡各方面综合性能,包括内存大小、功耗等。
中国科学家基于石墨烯等材料发明新型“热发射极”晶体管
基于此,中国科学家团队通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。本次研究中载流子的受激发射效果图。中国科学院金属所/供图合作团队表示,他们发明的新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特基结组成,...
科学家发明新型“热发射极”晶体管
近期,中国科学院金属研究所科研团队与合作者通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。相关研究成果8月14日发表于《自然》。载流子的受激发射效果图金属所供图...
mos管和双极型晶体管的区别
mos管和双极型晶体管的区别MOS管和双极型晶体管(BJT)是常见的两种晶体管器件,它们在工作原理、结构以及性能上存在明显差异,本文将对其进行比较分析。如果您对即将涉及的内容感兴趣,那么请继续阅读下文吧,希望能对您有所帮助。结构BJT有三个区域:发射区(Emitter)、基区(Base)和集电区(Collector)。发射区和集...