中国科学院上海高等研究院二维拓扑绝缘体研究获进展
在二维拓扑绝缘体中,其受保护的拓扑边缘态将在边界处形成一维的自旋极化电子通道,从而实现量子自旋霍尔效应。理论研究表明,具有蜂窝状晶格结构的薄膜是二维拓扑绝缘体的重要平台,也是实现量子自旋霍尔效应的理想材料。该体系独特的晶格结构使其在布里渊区的K点处产生狄拉克锥型能带结构,如石墨烯。由于碳元素的自旋轨道...
陈绝缘体内或存在拓扑激子
研究团队指出,陈绝缘体内的电子绕材料边缘运行但内部不导电。不过,这些电子会自发形成沿二维材料边缘顺时针或逆时针流动的单向电流。他们认为,在某些条件下,光线照射陈绝缘体产生的激子会继承主材料内电子和空穴的拓扑性质,变身为拓扑激子。当这些激子通过释放能量而衰变时,会自发地发出圆偏振光。这些拓扑激子可帮助...
SSH模型与拓扑螺旋链:一维拓扑绝缘体的边缘态的首次验证
SSH模型与拓扑螺旋链:一维拓扑绝缘体的边缘态的首次验证拓扑材料的研究彻底改变了我们对凝聚态物理的理解,导致了拓扑绝缘体和狄拉克-外尔半金属等新物质相的发现。苏-施里弗-希格尔(SSH)模型是该领域的基础模型之一,描述了一维(1D)拓扑绝缘体。该模型预测,在链的端点会存在拓扑束缚态。由于缺乏合适的平台,这种现象...
二维拓扑绝缘体研究获进展
在二维拓扑绝缘体中,其受保护的拓扑边缘态将在边界处形成一维的自旋极化电子通道,从而实现量子自旋霍尔效应。理论研究表明,具有蜂窝状晶格结构的薄膜是二维拓扑绝缘体的重要平台,也是实现量子自旋霍尔效应的理想材料。该体系独特的晶格结构使其在布里渊区的K点处产生狄拉克锥型能带结构,如石墨烯。由于碳元素的自旋轨道...
全球与中国拓扑绝缘体市场现状及未来发展趋势
D1:拓扑绝缘体是一种新兴的量子材料,其研究和发现受益于技术进步。科学技术的不断发展为拓扑绝缘体的制备、性能研究和应用提供了更多的机遇和可能性。D2:了解和探索新材料和物理现象一直是科学研究的驱动力。拓扑绝缘体作为一种具有独特电子能带结构和性能的材料,提供了新的挑战和机遇,吸引了众多研究人员进行...
理论预测存在新的激子类型
拓扑激子及其超流相可能在扭曲范德华异质结构的平带中实现(www.e993.com)2024年10月1日。这些材料由具有轻微扭曲的二维材料层组成,形成莫尔图案,导致平坦的电子能带。这些系统为探索拓扑、强关联和激子现象之间的相互作用提供了肥沃的土壤。影响和未来方向研究平陈带中的拓扑激子绝缘体和凝聚态开辟了理解和操控量子物质状态的新途径。这些系统可能导...
中国科大在光量子芯片领域取得重要进展
我校郭光灿院士团队在光量子芯片研究中取得重要进展。该团队任希锋研究组与中山大学董建文、浙江大学戴道锌等研究组合作,基于光子能谷霍尔效应,在能谷相关拓扑绝缘体芯片结构中实现了量子干涉,相关成果以“编辑推荐文章(Editors'Suggestion)”的形式6月11日发表在国际知名学术期刊《物理评论快报》上。
石墨烯插层实现原子薄量子自旋霍尔绝缘体的环境稳定性
半导体表面的原子单层代表了一类新兴的二维极限功能量子材料,从超导体和莫特绝缘体到铁电体和量子自旋霍尔绝缘体(QSHI)。铟烯(Indenene)是一种具有~120meV能隙的三角形铟单层,也是一种QSHI,在SiC(0001)上的微米级外延生长使其在技术上具有相关性。然而,由于在空气中拓扑特性的不稳定性,其在室温自旋电子学中的...
本征磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4外延薄膜中的量子化输运现象 | NSR
该研究结果突破了本征磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4外延薄膜的研究瓶颈,向构筑基于MnBi2Te4的复杂异质结构和器件阵列,探索高温QAH效应、手征拓扑超导体等方向迈出了关键一步。该研究成果以“QuantizedanomalousHallresistivityachievedinmolecularbeamepitaxy-grownMnBi2Te4??thinfilms”为题发表于《国家科学评论》...
苏大南大登《自然》:在拓扑晶体绝缘体缺陷中发现分数电荷
此外,科学家们还从理论上预测,一种叫做拓扑晶体绝缘体的材料在结构缺陷处可能会出现分数电荷现象。这一预言已经成真。1月21日,英国《自然》杂志同期发表的两篇论文就汇报了相关实验成果,一篇来自中国,是苏州大学物理学院教授蒋建华团队和南京大学电子科学与工程学院副教授蒲殷团队合作的成果。另一篇则来自美国伊利诺伊大...