集成电路布图设计专有权公告(2021年6月25日)
2021年6月25日 - 国家知识产权局
结构:MOS技术:CMOS功能:其他布图设计权利人:厦门澎湃微电子有限公司布图设计权利人国籍:中国布图设计权利人地址:福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303室之905布图设计创作人:钟旭恒、陈志明、温赠良、夏建宝布图设计创作完成日:2021年2月9日布图设计登记号:BS.215523768...
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集成电路布图设计专有权公告(2021年1月13日)
2021年1月13日 - 国家知识产权局
结构:MOS技术:NMOS功能:其他布图设计权利人:南京芯舟科技有限公司布图设计权利人国籍:中国布图设计权利人地址:江苏省南京市浦口大道1号新城总部大厦A座506布图设计创作人:吕信江、朱旭强代理机构:北京德崇智捷知识产权代理有限公司代理人:王斌布图设计创作完成日:2020年3月10日布图设计登记号:BS.205...
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电池新能源产业链三大百亿级项目开工!多个电池项目签约落户
2023年7月1日 - 搜狐
本次活动,由青岛乾运高科新材料股份有限公司(简称:乾运高科)投资建设的年产20万吨磷酸锰铁锂正极材料项目正式开工,项目总投资50亿元,分两期建设。一期占地180亩,计划投资25亿元,新建厂房及附属设施8.4万平方米,购置自动配料机、砂磨机、喷雾干燥机等设备220台(套),新上22条正极材料生产线,可年生产磷酸锰铁锂电池正...
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