高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析,一文get√
1.增加外部栅极电阻以分散功率损耗:如果在驱动器和MOSFET之间不插入外部栅极电阻,功率将完全耗散在驱动器封装内部。使用外部栅极电阻可以在驱动器内部栅极电阻和插入的外部电阻之间分担功率损耗。分担比例由两个电阻之间的比率决定。外部栅极电阻越大,驱动器内部的功率损耗就越小。2.降低开关频率。开关频率对功率损...
路灯白天灭,晚上自动亮,竟然是因为小小的光敏电阻
最大功耗表示光敏电阻所能耗散的最大功率。8、回应时间光敏电阻的阻值在不同光照强度下的阻值变化需要反应时间,通常都在30mS左右,所以光敏电阻不适合高速变化的光信号。光敏电阻的优缺点光敏电阻有很多优点:1、其光谱响应范围相当宽;2、工作电流大,可达数毫安;3、所测光强范围宽,既可测强光,也可测弱光...
0欧姆电阻在电路中的作用
0欧姆贴片电阻图我的上一篇文章《贴片电阻的读数方法》有详细了讲到0欧姆电阻的读数、精度、识别等,大家可以去看。0欧姆电阻能通过多少大电流?设计电路经常要用0欧姆电容,根据线路电流来选择电阻额定功率。一般的0欧姆电阻的实际阻值在50毫欧左右+-5%的偏差。根据额定功率,就可以计算出来,0欧姆电阻的额定电流...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
这里用到的与非门是74L00或54L00型的,这种类型的TTL的结构几乎与标准TTL的结构相似,只是电阻值更高。对于这个增加的电阻值,电路的功耗降低了。低功耗TTL电路3、大功率TTL电路与低功率TTL不同,高功率TTL是标准TTL的高速版本。这种类型的TTL的运行速度比前面讨论的要快。其功耗高于之前讨论的...
大地网接地电阻测试仪接线图及接线方法
公司专业生产大地网接地电阻测试仪。1、地网测试图1三极法测量接线图测量电流线D:线径≥1.5mm2,长度为地网对角线长度的3~5倍;测量电压线1:线径≥1.0mm2,长度为0.618D;测量电压线2:接被测地网;测量接地线:接被测地网。图2四极法测量接线图...
功率半导体测试,这个值得一看
图4:DUT的阈值电压与Rds(on)电阻之间的相关性(www.e993.com)2024年9月17日。为不断加深对SiC功率半导体现象的理解,应继续进一步发展DGS测试和所有其他动态测试过程。特别是对于长期分析的建模,应收集尽可能多的数据,以便开发可靠的功率半导体来应对未来的挑战。关注“恩艾NI知道”
在射频功率放大器设计中使用负载牵引技术
其中Rhigh是新的更高的负载电阻,它降低了输出功率。我们还可以根据电压摆动重写Popt(方程式2):方程式7方程式6和7得出:方程式8Popt=0.875W,Pd=0.375W,Ropt=7Ω,我们得到Rhigh=16.33Ω。图5中橙色负载线的斜率大约等于??1/16.33,对应负载电阻Rhigh=16.33Ω。
唯样课堂 | 什么是EPS?通过马达来辅助转向操作的系统
在电压转换电路中,通过多个开关元件来进行电压的转换。通过令开关元件On/Off来执行转换操作,但由于元件On/Off时会产生噪声,因此通常在元件(FET)的栅极端子上使用电阻器来抑制驱动噪声。此外,为了防止开关元件等因在高功率下工作而产生规定以上热量时造成的故障,通常会使用NTC热敏电阻器来进行温度测量。
干货| 功率MOSFET基本结构:超结结构
高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构,采用厚低掺杂的N-外延层epi,保证器件具有足够击穿电压,低掺杂N-外延层epi尺寸越厚,耐压额定值越大,但是,导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长,导通电阻急剧增大,电流额定值降低。为了获得低导通电阻值,就必须增大硅片面积,需要更大晶片面积降低导通电阻,一些大电流应用需要更大封装尺...
吃透MOS管,看这篇就够了
1)、输入阻抗高,驱动功率小:由于栅源之间是二氧化硅(SiO2)绝缘层,栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻,一般达100MΩ左右,交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高,对激励信号不会产生压降,有电压就可以驱动,所以驱动功率极小(灵敏度高)。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb,再产生基极电流Ib,才...