积塔半导体“基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片”专利获...

省去了传统全隔离LDNMOS中需要利用一层光罩采用高能注入的形式单独形成P型埋层作为N型漂移区的全隔离区的步骤,通过简化工艺步骤降低了制造成本,并且通过RESURF效应改善了LDNMOS的导通电阻,保证击穿电压以及导通电阻均可以匹配传统全隔离LDNMOS的表现。

特朗普赢了,半导体将怎么走?

如果特朗普再次当选,可能会延续这种强硬的对华政策,进一步加大对中国半导体产业的制裁力度,这将给中国半导体企业带来更大的挑战,但同时也会促使中国加快半导体自主可控的进程。刺激中国半导体产业加速发展:面对美国的制裁压力,中国半导体产业将更加坚定地走自主创新和国产化的道路。政府可能会加大对半导体产业的政策支持和资...

MIT新突破:无需半导体也能3D打印“晶体管”

设备由铜掺杂的聚合物薄层通过3D打印制成,内部交叉的导电区域使研究人员可以通过控制输入的电压来调节电阻。主动电子设备——能够控制电信号的组件——通常由半导体器件组成,用于接收、存储和处理信息。这些器件需要在无尘室中制造,且依赖高度复杂的制造技术,这些技术只在少数专业制造中心才具备。在新冠疫情期间,全球...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

像安世半导体、比亚迪半导体、斯达半导、中车时代电气还有士兰微这些功率半导体企业，在技术沉淀、车规认证、制造工艺、试验测试、技术支持、体系构建、上车批量验证、问题处理，以及产能提高和人才培养上都攒下了宝贵的经验。车规功率半导体里，MOSFET和IGBT是最具代表性的。车规MOSFET在燃油车和电动车上都用得特别多，而...

芯片制造,新拐点?

减法蚀刻允许比传统Cu互连更高的金属线纵横比(AR),从而改善电阻。至于电介质,金属线可以与气隙结合,而不是低k电介质间隙填充。气隙提供较低的介电常数,从而导致较小的层内电容。除了具有RC效率外,半镶嵌还消除了金属CMP的使用,简化了工艺流程并改善了线高控制。使用难熔金属也有好处。它们有望...

粤芯半导体取得一种半导体结构及其制作方法专利,降低了工艺成本和...

本发明的半导体结构及其制作方法形成位于第一掺杂区与第一连接层、第二掺杂区与第二连接层之间的隧穿氧化层,形成隧穿氧化层的工艺要求低,降低了工艺成本,且形成的隧穿氧化层有效降低了接触电阻(www.e993.com)2024年11月9日。本文源自:金融界

应用材料公司创新半导体芯片布线工艺:量产中首次使用钌,电阻最高...

该解决方案采用是钌和钴(RuCo)的二元金属组合,将衬垫厚度减少33%至2nm,为无空隙铜回流产生更好的表面特性,此外线路电阻最高降幅25%,从而改善芯片性能和功耗。采用VoltaRutheniumCVD(化学气相沉积)技术的新型AppliedEnduraCopperBarrierSeedIMS已被所有领先的逻辑芯片制造商采用,并已开始向3纳米节...

NTC基础及应用

半导体在工作过程中需要进行保护,以过高温度对其产生影响。NTC热敏电阻配置于功率模块内部基板上,以便于对安装有模块的散热板温度进行监测(图)。NTC热敏电阻端子连接在控制器的比较器上。NTC热敏电阻电阻低于设置值时,控制器会减少所有半导体的电力,从而降低封装件内的温度。

柔性可穿戴电子设备材料的导电测试

案例一:基于天然橡胶的软质可穿戴压阻式传感器采用定制的增材制造工艺本案例基于天然橡胶制造的软质可穿戴压阻传感器,采用定制的基于浸渍的增材制造工艺进行制造。该研究强调了压阻传感器在监测人体运动以预防和治疗伤害方面的重要性。通过将天然橡胶与乙炔黑相结合,并利用基于立体光刻的增材制造,传感器能够成功...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

第二代半导体材料主要包括化合物半导体材料,例如砷化镓(GaAs)、铟锑化物(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;固溶体半导体,如锗硅(Ge-Si)、砷化镓-磷化镓(GaAs-GaP);玻璃半导体(非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;以及有机半导体,如酞菁、铜酞菁、聚丙烯腈等。这些材料主要用于生产高速、高频、高功率...