半导体刻蚀设备行业报告:制程微缩叠加3D趋势,市场空间持续拓宽

1997年IBM公司提出大马士革工艺，通过沉积铜实现布线，互连技术进入铜互连时代。大马士革工艺可分为单大马士革工艺和双大马士革工艺，两者的区别在于互连引线沟槽与互连通孔是否同时淀积填充铜金属。单大马士革工艺通过一次刻蚀和填充工艺来形成，即仅包含沟槽或仅包含通孔，具有更高的分辨率。通常第一金属铜层（M1）用...

半导体专家聚首无锡,谈了哪些?

2016年,国际半导体技术路线图(ITRS,重点关注延续“摩尔定律”的器件和工艺)已被国际器件与系统路线图(IRDS,关注逻辑和存储器件和工艺、封装集成及系统)所取代,表明系统层面的逻辑和存储器件工艺与封装的集成式创新正成为集成电路主流发展趋势,AMD的ZEN系列高性能CPU芯片和NVIDIA的A100和H100高算力GPU芯片是典型代表。台...

不容错过的半导体盛会! 30+论坛 200+演讲嘉宾 1000+展商亮相

打造第三代半导体制造关键设备--原子层沉积和离子注入陈祥龙青岛四方思锐智能技术有限公司副总经理14:30-14:50刻蚀-沉积一体化赋能化合物半导体功率器件的大规模制造郭春祥博士江苏鲁汶仪器股份有限公司工艺经理14:50-15:10化合物半导体芯片工艺最新技术趋势与方向叶国光无锡邑文微电子科技股份有限公司副总经理1...

晶圆制造为什么大马士革(Damascene)工艺替代铝制程工艺?

铜的电迁移抗性远优于铝,因此在高密度和高电流密度的情况下,铜互连的可靠性更高。3.制造工艺大马士革工艺优势:大马士革工艺允许在半导体芯片上精确地嵌入铜线。这种工艺是通过在绝缘层中刻蚀出线条或通孔,再填充铜,最后进行平坦化处理。这种方法使得铜互连具有更好的结构完整性和更少的缺陷。无需复杂的阻挡层:...

Shin-Etsu Chemical:开发用于后端工艺的半导体封装基板制造设备并...

该设备是一种使用准分子激光的高性能加工设备,它将半导体制造工艺前端中使用的双大马士革法应用于封装基板制造工艺(后端工艺)(以下简称“Shin-Etsu双大马士革法”)。因此,中介层的功能可直接整合到封装基板中。这不仅消除了对中介层的需求,而且还实现了传统制造方法无法实现的进一步微细加工。由于不需要封装基板制造工艺...

刻蚀设备:仅次于光刻机的半导体制造核心工艺 迎国产爆发机遇?丨...

对于中国大陆逻辑电路制造而言,先进制程的主流工艺是FinFET工艺,受制于部分设备能力,国内先进制程的发展目前还需要依赖多重曝光实现更小的尺寸,使得刻蚀技术及相关设备的需求数量和重要性进一步提升(www.e993.com)2024年11月9日。除此之外基于金属硬掩模的双大马士革等工艺也提高了刻蚀的难度,相应的刻蚀机制造的难度也随之增加。

芯片制造,新拐点?

1997年,逻辑和内存芯片后段(BEOL:back-end-of-line)中引入了CU双大马士革(CUDUALdamascene)集成方案,标志着半导体历史上的一个转折点。芯片制造商从减法铝图案化(subtractiveAlpatterning)转向湿法工艺,如铜电镀和化学机械抛光(CMP)。这种彻底的转变是为了应对铝基互连中不断增加的RC延迟,这...

北方华创发布国产12英寸双大马士革CCP刻蚀机

近日,北方华创正式发布新品——12英寸电容耦合等离子体介质刻蚀机AccuraLX,该机台主要覆盖逻辑领域多个技术节点中以AIO(双大马士革刻蚀工艺)、Contact(接触孔)为代表的关键介质刻蚀制程,并可扩展到存储领域的CMOS(互补金属氧化物半导体)相关制程,适用于Low-K(低介电常数)介质及常规介质材料的刻蚀工艺。

创单季度新高!北方华创Q2净利最高增超50% 国产半导体设备或迎订单潮

从主营业务来看，公司包括半导体、真空及锂电工艺装备在内的电子工艺装备占据营收大头。公司可为先进封装领域客户提供TSV制造、正面制程-大马士革工艺、背面制程-露铜刻蚀和RDL工艺的全面解决方案。其中，TSV技术作为先进互联方式，在HBM和CoWoS中起着至关重要的作用。中邮证券7月4日研报指出，随着2.5D和3D封装技术的...

国产半导体设备有多猛?全球第七,投入250亿美元!

前两天荷兰在美国的压力之下,公布了新的光刻机管控措施,以为这样就可以彻底将国产芯片锁死在7nm工艺以上,试图阻挡国产芯片进一步的突破;但实际是国产半导体设备的投入和发展远超多数人的想象。根据国际半导体