MOS管常见的几种应用电路
MOS管最常见的电路可能就是开关和放大器。1.开关电路G极作为普通开关控制MOS管。2.放大电路让MOS管工作在放大区,具体仿真结果可在上节文章看到。二、时序电路中作为反相器使用下图示例电路中,芯片1正常工作时,PG端口高电平。如果芯片1、芯片2有时序要求,在芯片1正常工作后,使能芯片2。可以看到芯片2...
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
3、开启过程损耗开启过程损耗,指在MOSFET开启过程中逐渐下降的漏源电压VDS(off_on)(t)与逐渐上升的负载电流(即漏源电流)IDS(off_on)(t)交叉重叠部分造成的损耗。开启过程损耗计算:开启过程VDS(off_on)(t)与IDS(off_on)(t)交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之VDS(off...
MOS管开关电路设计,用三极管控制会烧坏?
我们一般会用一个三极管去控制,如下图!MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,...
吃透MOS管,看这篇就够了
图1-4-A是N沟道MOS管的符号,图中D是漏极,S是源极,G是栅极,中间的箭头表示衬底,如果箭头向里表示是N沟道的MOS管,箭头向外表示是P沟道的MOS管。在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接,所以在符号的规则中;表示衬底的箭头也必须和源极相连接,以区别漏极和源极。图1-5-A是P沟道MOS管的符号。
MOS管烧了,可能是这些原因
如果MOS管未完全开启,则设备在传导过程中将具有高电阻,并且会以热量的形式消耗大量功率,10到15伏之间的栅极电压可确保大多数MOS管完全开启。缓慢的开关转换在稳定的开启和关闭状态期间耗散的能量很少,但在过渡期间耗散了大量的能量。因此,应该尽可能快地在状态之间切换以最小化切换期间的功耗。由于MOS管栅极呈现电容...
英飞凌OptiMOS 7 40V 车规MOSFET ,助力汽车控制器应用
开关瞬态过程仿真波形OptiMOS??7车规MOSFET命名规则基于市场的反馈和对竞争对手的分析,我们重新调整了新一代的OptiMOS??7车规MOS的命名规则(www.e993.com)2024年9月20日。比如英飞凌料号IAUCN08S7N055X每个字符所代表的信息如下图所示。和之前的命名规则相比,最大的变化是移除了最大连续电流IDSmax,避免用户在器件选型时产生不必要的...
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
IGBT有N沟道型和P沟道型两种,主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下:所以整个过程就很简单:当栅极G为高电平时,NMOS导通,所以PNP的CE也导通,电流从CE流过。当栅极G为低电平时,NMOS截止,所以PNP的CE截止,没有电流流过。IGBT与MOSFET不同,内部没有寄生的反向二极管,因此在实际使用中(感性负载)需要搭配...
电源设计MOS管驱动电路
图2图腾柱驱动MOS这种驱动电路作用在于,提升电流提供能力,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间,但是减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。3、驱动电路加速MOS管关断时间图3加速MOS关断关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压...
开关电源电路设计的10个经验
以我们常用的BUCK电路为例,如下图:控制IC的地一般是与输入电源的地共地的,而MOS管的S极与输入电源的地之间还有一个二极管,所以控制IC的驱动信号不能直接接到MOS管的栅极,而需要额外的驱动电路或驱动IC,比如变压器隔离驱动或类似IR2110这样的带自举电路的驱动芯片。
超详细|开关电源电路图及原理讲解
2、常见的原理图:3、工作原理:R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器,和开关MOS管并接,使开关管电压应力减少,EMI减少,不发生二次击穿。在开关管Q1关断时,变压器的原边线圈易产生尖峰电压和尖峰电流,这些元件组合一起,能很好地吸收尖峰电压和电流。