这台单晶炉让碳化硅告别“盲盒生长”

吴春生表示,公司8英寸电阻法碳化硅单晶炉由于解决了碳化硅“盲盒生长”的瓶颈,让工艺开发人员能够更快更准确地验证工艺和晶体实际生长之间的对应关系,大大缩短了工艺开发周期,为后期8英寸衬底量产的可靠性提供了扎实的设备基础,将有助于快速推动8英寸衬底商业化量产的进度。半导体材料设备行业技术壁垒高、研发周期长、资...

克服碳化硅制造挑战,助力未来电力电子应用

●碳化硅/二氧化硅界面特征描述和寿命建模●外来物质(筛选)●外延和衬底缺陷●体二极管退化●高压阻断可靠性(HTRB)●有关边缘终止、雪崩稳健性和短路的特定性能指标●高dv/dt耐久性设计●浪涌电流此外,安森美还承诺出资800万美元,围绕宾夕法尼亚州立大学(PSU)的安森美碳化硅晶体中心(Si...

碳化硅晶体在高科技领域有何应用?这种材料有哪些技术挑战?

首先,在半导体领域,碳化硅晶体是制造高性能功率器件的理想材料。相较于传统的硅基半导体,碳化硅具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更低的导通电阻。这使得基于碳化硅的功率器件能够在更高的温度、更高的电压和更高的频率下工作,从而显著提高电力转换效率,降低能源损耗。例如,在电动汽车的电源转换系统中,碳化硅功率...

无压烧结碳化硅陶瓷耐磨内衬的耐蚀性能研究

碳化硅陶瓷的耐蚀性能主要来源于其独特的化学键结构和晶体结构。碳化硅中的Si-C键具有极高的键能,使得碳化硅在酸、碱等腐蚀性介质中难以被侵蚀。此外,碳化硅的晶体结构也赋予了其良好的耐蚀性能。在晶体结构中,Si和C原子以共价键的形式紧密结合,形成了稳定的四面体结构,这种结构使得碳化硅在腐蚀环境中能够保持其原有的...

东莞市鼎力自动化科技取得一种碳化硅晶体生长的单晶生长炉专利...

东莞市鼎力自动化科技取得一种碳化硅晶体生长的单晶生长炉专利,实现对炉体内部温场的精确把控,陶瓷,单晶,晶体,碳化硅,生长炉,氧化铝,自动化科技

氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来

山东大学的科研团队提出了一种新型散热策略,通过构建金刚石-碳化硅(SiC)复合基板,有效解决了氮化镓(GaN)基晶体管的自加热问题(www.e993.com)2024年11月9日。研究团队设计并实现了在4H-SiC基板上直接生长多晶金刚石,随后将SiC基板减薄至最佳厚度,以形成金刚石-SiC复合基板。通过模拟和实验验证,与GaN-on-SiC技术相比,GaN-on-金刚石/SiC结构在基础...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

在固体物理学中,带隙是一个至关重要的概念,它定义了固体内部电子能级分布的一个特殊区域。这个能量范围被称为带隙或能隙,其特点是在这个区间内不存在允许的电子态。在固体的电子能带结构图中,带隙通常指的是价带顶部与导带底部之间的能量差,这一能量差以电子伏特(eV)为单位进行度量。

...应用于碳化硅、氮化硅晶体、金刚石、石英玻璃等高脆硬特殊材料...

格隆汇9月11日丨致尚科技(48.860,-5.89,-10.76%)(301486.SZ)在投资者互动平台表示,西可实业的全资子公司西可装备制造(衡阳)有限公司专注于半导体抛光设备的研发制造,成功实现了传统单面抛光设备的尺寸升级、新型双面研磨系列设备的研发及量产。西可实业的半导体抛光设备应用于碳化硅、氮化硅晶体、金刚石、石英玻璃等高脆...

碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度

关于碳化硅单晶的生长量管理,籽晶的粘接会影响碳化硅晶体的生长,因此粘接质量的监控至关重要。优睿谱的设备可用于客户籽晶的筛选,以确保其具有最小的内应力和最少的缺陷。此外,位错缺陷检测也是一个问题,之前提到了未检测到的缺陷检测,上图一个典型的例子。在氢氧化钾腐蚀之后,可以看到各种形状的位错,如螺位错、...

8英寸碳化硅时代呼啸而来!

近日,我国在8英寸碳化硅领域多番突破,中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级,三义激光首批碳化硅激光设备正式交付,天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售,上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来,未来将会有更多厂商带来新的产品和技术,我们拭目以待。