Colpitts振荡器原理分析,图文+案例
Colpitts振荡器使用单级双极晶体管放大器作为产生正弦输出的增益元件。如下图所示,晶体管的发射极端子有效地连接到两个电容器C1和C2的结点,这两个电容器串联并充当简单的分压器。基本Colpitts振荡器电路图首次接通电源时,电容C1和C2充电,然后通过线圈L放电,电容上的振荡被施加到基极-发射极结并且出现在集电...
基于运算放大器和晶体管的模拟方波发生器设计
图5。具有非对称输出的双极晶体管非稳态多谐振荡器输出。从图5中,我们可以看到创建具有易于调节占空比的非对称输出矩形波的能力。仿真结果为t1=681μs和t2=335μs,再次接近我们的设计方程预测的结果。总体而言,与运算放大器振荡器相比,基于BJT的非稳态多谐振荡器具有更大的灵活性。虽然结构稍微复杂一些,但它不...
为什么D类放大器需要反并联二极管
由于双极结型晶体管不能传导反向电流,我们通常使用反并联二极管为负电流提供通路。这在图7中进行了说明。一种互补电压开关D类放大器,增加了反向并联二极管以传导负电流。图7.带有反向并联二极管的互补电压开关D类放大器,用于传导负电流。图片由SteveArar提供二极管D1和D2充当开关,在需要时自动打开,仔细想想,这...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
晶体管Q1在发射极侧有两个输入端。三极管Q3和Q4组成输出端,称为图腾柱输出。标准2输入TTL电路2输入TTL与非门的电路可能看起来很复杂。我们可以通过考虑2输入NPN晶体管的二极管等效来简化其操作,如下图所示。标准2输入TTL电路在图中,二极管DA和DB代表晶体管Q1的2输入发射极结。二极管DC...
BCD技术科普:模拟、数字和电源设计的统一方法
BCD(双极CMOSDMOS)典型的BCD技术在同一工艺中提供低压逻辑CMOS晶体管、高压晶体管、二极管、电阻器和MIM电容器。BCD工艺具有寄生双极晶体管,非常适合制作带隙基准等模拟电路。图1.1图1.2使用BCD技术的优点:提高系统可靠性减少电磁干扰
基础知识之晶体管
晶体管分类图:按照该分类,掌握其种类1、按结构分类根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管(www.e993.com)2024年9月11日。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。
整理分类:晶体管的类型分析
双极结型晶体管双极结型晶体管也称为半导体晶体管。这是一种通过特定程序连接两个PN结的仪器,具有PNP和NPN两种组合结构。从外部引出三个极:集电极、发射极和基极。收集器是从收集器区域抽取的。发射器从发射区域引出。底座是从底座区域绘制的。BJT具有放大作用。为了保证这个传递过程,一方面必须满足内部条件...
详解IGBT工作原理,几分钟搞定!
IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关。IGBT主要用于放大器,用于通过脉冲宽度调制(PWM)切换/处理复杂的波形。你可以看到输入侧代表具有栅极端子的MOS管,输出侧代表具有集电极和发射极的BJT。
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
高速开关:SJ-MOSFET的超级结结构使其具有快速开关特性,适用于高频率应用。可靠性:SJ-MOSFET的产品质量可靠,性能稳定,适用于各种严苛的工作环境。三.IGBT器件IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的...
运算放大器参数选型
运算放大器(IntegratedOperationalAmplifier)简称集成运放,是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路。运放内部结构输入级一般是由BJT(双极性晶体管,电流控制器件)、JFET(结型场效应晶体管,电压控制器件)或MOSFET(氧化物半导体场效应晶体管)组成的差动放大电路,主要是利用对称特性提高共模抑制...