复旦大学微电子学院周鹏团队与北邮合作揭示铁电晶体管中极化电导...

然而,由于铁电沟道场效应晶体管(FeCFETs)中存在铁电极子与电子重构耦合,无法继续沿用传统器件物理原理,使得FeCFETs中极化相关的电导调控机制变得难以精确控制。因此要实现高性能层状铁电半导体的先进逻辑和存储器件,就必须厘清铁电沟道极化与电导性物理关系这一根本问题。针对此领域挑战难题,复旦大学微电子学院周鹏/王水源...

麻省理工团队成功研制出全新纳米级3D晶体管,垂直纳米线结构创新

为了克服这一限制,美国麻省理工学院团队利用由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。值得一提的是,这项研究部分由英特尔公司资助。他们也使用了垂直纳米线场效应晶体管(VNFET)技术,通过垂直定向结构而非传统的水平布局来管理电子流,从而避开了与水平晶体管相关的一些限制。...

台积电低功耗芯片路线图

与目前的鳍式场效应晶体管相比,叠层全栅极沟道等晶体管结构将实现更好的静电控制/更陡峭的次阈值斜率,从而显著降低最低工作电压,如图8所示。图6:电源扩展是实现跨代功率扩展和能效提升的关键因素图7:传输特性明显改善的沟道材料是提高驱动强度和电路速度的关键,同时还能扩展电源。图8:堆叠式全栅极沟道结构,...

中国科大研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管

在本次报道的工作中,分别采用了氧气氛围退火和氮(N)离子注入工艺制备了器件的电流阻挡层,并配合栅槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术的氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。氧气氛围退火和N离子注入所形成的电流阻挡层均能够有效隔绝晶体管源、漏极之间的电流路径,当施加正栅压后,会在栅槽侧壁形成电子积累的导电通道,...

...牛刚教授课题组在关于二硫化钼铁电场效应晶体管光电探测器的...

图5.在650nm光照下二硫化钼场效应晶体管的光电响应。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials图6.二硫化钼场效应晶体管负光电导效应原理示意图。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials该成果以“基于外延铁电栅的具有负光电导和高响应度的双极性MoS2场效应晶体管”(AmbipolarMoS2FieldEffectTransistorswithNegative...

扩展栅场效应晶体管化学与生物传感器现状与展望

扩展栅场效应晶体管(EG-FET)化学和生物传感器是广泛应用于生物医学的新兴工具(www.e993.com)2024年11月14日。通过开发小型化传感晶体管,设计和优化扩展栅极传感层,探索EG-FET结构的多路复用能力以及先进的数据分析,为使其对生物分子超敏感做出了重大努力。在过去的几十年里,微纳米加工的革命促进了电子构件的发展,减小了它们的尺寸,提高了它们的性...

...胡平安教授ACS Nano:柔性可穿戴式场效应管传感器用于汗液中...

图1NM-FET的原理图概述NM-FET的制备和特性表征NM-FET中主要包括两个部分:场效应管和纳米阵列。纳米阵列的SEM显示微球大部分区域的排布方式呈现蜂窝状,小部分区域的微球排布则存在缺陷。电极区域SEM中红色区域为MoS2,蓝色区域为Au电极,绿色区域为衬底。使用FDTS旋涂纳米阵列,XPS能谱显示出明显的F峰,证明了FDTS...

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

1MOSFET基本工作原理本文引用地址:httpseepw/article/202405/459354.htm1.1小功率MOSFET场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,由于紧靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。场效应管分为结型和绝缘栅两种,因为绝缘栅型晶体管(MOSFET,下面简称MOS管)...

基础知识之晶体管

根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETFieldEffectTransistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET...

...材料学部李庆轩在《自然-通讯》发布新型高性能柔性铁电晶体管...

近日,集成电路学院青年教师李庆轩与复旦大学陈琳教授团队合作,提出了基于HZO和超薄ITO沟道的后端(BEOL)兼容柔性高性能铁电场效应晶体管(FeFETs)器件。该项成果以“面向柔性透明电子应用的具有超薄氧化铟锡沟道的高性能铁电场效应晶体管”为题,发表在国际顶级学术期刊《自然-通讯》上(DOI:10.1038/s41467-024-46878...