艾索洛AMP-F10放大器重磅登场,定义全新音频体验!

每通道5对大电流MOSFET放大管为了让放大电路的工作一致性更好,EversoloAMP-F10每个通道采用5对精密配对的MOSFET大电流放大管,通过并联的方式使电流分配更加均匀,可以进一步降低放大器中可能出现的不均衡失真和电流分配不一致的问题;EversoloAMP-F10不仅是一款功放放大器,更是每位音频爱好者的梦想之选。无论...

涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺

D-mode为常开型器件,在通常状态下(栅源极电压VGS=0),漏极和源极之间已存在2DEG,器件呈导通状态;当栅源极电压VGS<0时,漏、源极之间的2DEG断开,器件截止。在电力电子应用中,常开的器件在使用上不便且有安全方面的问题,因此D-mode氮化镓HEMT器件在应用中,经常级联/串联低压硅MOS一起使用,如下图所示。图3共...

吃透MOS管,看这篇就够了

1)MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件,所以是电压器件。2)MOS管道输入特性为容性特性,所以输入阻抗极高。4、MOS管的电压极性和符号规则;图1-4-A是N沟道MOS管的符号,图中D是漏极,S是源极,G是栅极,中间的箭头表示衬底,如果箭头向里表示是N沟道的MOS管,箭头向外表示是P沟道的MOS管。在实际MO...

MOS管及其外围电路设计

图3mos关断时的对应电流该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

其结构示意图:解释1:沟道上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可,因此,不难理解,n型的...

集成电路布图设计专有权公告(2024年1月26日)

布图设计创作完成日:2021年12月13日布图设计登记号:BS.225618451布图设计申请日:2022年11月18日公告日期:2024年1月26日公告号:71320布图设计名称:低功耗快速响应LDO电路布图设计权利人:广州大学布图设计创作人:张妤婷、曾衍瀚、吴添贤、李旭...

干货| MOS管加三个元件就组成BUCK电路,为何说难点在于电感?

图一在这个BUCK模型中,组成的最基本的几个器件是MOS管Q1,电感L1,电容C1和二极管D1;先来带大家了解这三个被动器件在平常电路设计的作用1,电容:电容又称“电容量”,是指在给定电位差的电荷储藏能量;它的作用是:旁路,去耦,滤波,储能;旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低...

干货| MOS管防护电路解析

为了防止器件损坏,通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916,R926)等保护措施,实测加上稳压管(D901)的效果要比加上RC电路的效果要好,推荐先用稳压管测试,但是此处绝对不能加tvs,加tvs会导致源极电压抬高,gs损坏。当电流过大或者发生短路时,功率MOS管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定...

超详细|开关电源电路图及原理讲解

1、MOS管的工作原理:目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET(MOS管),是利用半导体表面的电声效应进行工作的。也称为表面场效应器件。由于它的栅极处于不导电状态,所以输入电阻可以大大提高,最高可达105欧姆,MOS管是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。

解析开关电源的冲击电流的几种控制方法

3.2.1利用MOS管限制冲击电流利用MOS管控制冲击电流可以克服无源限制法的缺陷。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点,在周围加上少量元器件就可以做成冲击电流限制电路。MOS管是电压控制器件,其极间电容等效电路如图8所示。图8.带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路...