全新纳米级3D晶体管面世

由超薄半导体材料制成的纳米级三维晶体管,可比硅基器件更高效地运行(艺术图)。图片来源:iStock科技日报北京11月6日电(记者刘霞)美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管,其性能和功能可比肩甚至超越现有硅基晶体管,将为高性能节能电子产品的研制...

氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来

作为对照组实验,研究团队用在碳化硅衬底上制造的相同形状的晶体管进行了比较,以验证用相同方法在金刚石衬底上制造的氮化镓晶体管的散热情况。结果证实,在金刚石衬底上的晶体管的散热能力比在碳化硅衬底上的晶体管提高大约2.3倍。此外,他们实验得到的金刚石衬底上的晶体管比之前其他研究中在金刚石衬底上制作的晶体管实...

还不会设计直流伺服放大电路?详细步骤+元件清单+工作原理

电解电容C3:100uF50V电容元器件清单(可放大)3、晶体管电容PNPTO-92晶体管Q1、Q2:2SA1016或A872、-100V50mAPNPTO-92MOD晶体管Q3、Q4:2SD666、80V50mAPNPTO-92晶体管Q5:2SB646、-80V50mAN沟道低频MOSFETQ6:2SK1058(To-3P)或2SK134(To-3)P沟道低频MO...

...牛刚教授课题组在关于二硫化钼铁电场效应晶体管光电探测器的...

图6.二硫化钼场效应晶体管负光电导效应原理示意图。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials该成果以“基于外延铁电栅的具有负光电导和高响应度的双极性MoS2场效应晶体管”(AmbipolarMoS2FieldEffectTransistorswithNegativePhotoconductivityandHighResponsivityUsinganUltrathinEpitaxialFerroelectricGate)为题...

NPN型晶体管-IC电子元器件

NPN型晶体管制造工艺设计制造NPN型晶体管的工艺设计包括以下几个步骤:1、衬底制备:选择合适的衬底材料,例如硅(Si),并进行化学处理和机械抛光,以获得平整、干净的衬底表面。2、衬底掺杂:通过离子注入或扩散技术,在衬底上掺杂P型杂质,形成集电区。然后,通过二次掺杂或掺杂阻塞技术,在集电区上形成N型杂质。

扩展栅场效应晶体管化学与生物传感器现状与展望

第一个基于场效应晶体管的传感器起源于1970年由Bergveld引入的离子敏感场效应晶体管(ISFET)结构(www.e993.com)2024年11月12日。从那时起,我们见证了ISFET在大量应用中的发展,包括pH传感,早期疾病检测,药物筛选等。虽然典型的基于FET的器件与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有相同的基本结构,具有嵌入式源(S),漏极(D)和栅极(G)金属化...

还搞不懂TIP147是什么管子?看这一文,引脚图+参数+工作原理

一、TIP147是什么管?TIP147是采用单片达林顿配置的硅外延基PNP功率晶体管,专为通用放大器和低频开关应用而设计,适用于电源线性和开关应用。TIP147实物图二、TIP147引脚图TIP147引脚图TIP147引脚功能图三、TIP147CAD模型1、TIP147电路符号...

氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来 | 金刚石大会

这种新型的散热材料组合具有广泛的应用前景,未来利用金刚石衬底实现大面积氮化镓晶体管,有望扩大高功率半导体元件在5G通信基站、气象雷达和卫星通信等领域的应用范围。此外,由于其高效的散热性能,金刚石+氮化镓还可以用于制造更小、更轻、更可靠的电子设备。随着科技的不断进步,相信这种新型的散热材料组合将会在未来发...

华为苹果都卖疯了!概念股集体狂欢:26股暴涨100%以上,谁是下一只...

从芯片来看,新款华为手机Mate30系列搭载目前设计最精密的华为手机芯片——麒麟9905G,在仅有指甲大小的方寸之间集成多达103亿个晶体管,GPU性能提高达39%,能效提升高达32%。而相比而言,苹果最大的不足可能就是缺乏5G功能。而在摄像功能上,Mate30配备超感光徕卡三摄,Mate30Pro配备超感光徕卡电影四,包含一枚4000万...

美国半导体联盟发布!《微电子和先进封装技术路线图》

随着晶体管2D缩放速度的放缓和2.5D/3D封装技术的成熟,开发采用集成光子学技术、在互补金属氧化物半导体(CMOS)工厂制造并使用先进集成电路封装技术的光学收发器和互连器件开始成为一项更为重要的技术创新。与数据处理(计算)和存储芯片共置于同一封装内的光收发器被称为共封装光学器件或芯片封装优化(CPO)。包含有源光子器...