西安交大科研人员在Xe/Kr吸附分离材料开发领域取得新进展
2021年12月29日 - 西安交大新闻网
图3DFT计算得到的HCP-M吸附结构和静电势分布:Xe(a-g)、Kr(h-n)图4HCP-M的电荷密度差图和局部积分曲线:Xe(a-f)和Kr(g-l)金属离子的引入可以调节HCP材料的表面静电势(ESP)。通过DFT计算得到HCP、HCP-S和HCP-M的ESP和电荷密度差数据(图3和图4)。当Xe靠近HCP-M的金属位点时,Xe原子的范德华表面显示...
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图3DFT计算得到的HCP-M吸附结构和静电势分布:Xe(a-g)、Kr(h-n)图4HCP-M的电荷密度差图和局部积分曲线:Xe(a-f)和Kr(g-l)金属离子的引入可以调节HCP材料的表面静电势(ESP)。通过DFT计算得到HCP、HCP-S和HCP-M的ESP和电荷密度差数据(图3和图4)。当Xe靠近HCP-M的金属位点时,Xe原子的范德华表面显示...