打算设计快充产品?不如先看看这些广受好评的意法半导体器件
意法半导体STF21N65M5是一颗NMOS,耐压710V,导阻150mΩ,采用TO220FP封装。这款器件采用意法半导体PowerMESH??水平布局结构制造,导通电阻很低,特别适用于需要超高功率密度和追求高效的场景应用。应用案例:1、拆解报告:昱能250W光伏并网微逆变器意法半导体STL24N60M6意法STL24N60M6是一款NMOS,耐压600V,导...
国芯思辰|安森德MOS管ASDM20N60KQ,对标微碧和新洁能的NCE2060K
ASDM20N60KQ是安森德推出的中低压场效应管(MOS管)产品,可替代台湾微碧和新洁能的NCE2060K,应用在锂电保护项目上。ASDM20N60KQ特征:低栅极电荷增强模式快速切换高功率和电流处理能力漏源电压(Vdss):20V连续漏极电流(Id):60A功率(Pd):TC=25°C,60W;TC=100°C,25W工作温度:-55°C~150°C(TJ)...
新型高耐压功率场效应晶体管
这时器件的耐压取决于P与N-的耐压。因此N-的低掺杂,高电阻率是必须的。当VGS>Vth时,被电场反型而产生的N型导电沟道形成。源极区的电子通过导电荷道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷,从而恢复被耗尽的N型特性,因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率,因而导通电阻较常规MOSFET将明显降低。通过以上分析...
干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录
1、N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘...
MOS管知识最全收录
MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型;又根据场效应原理的不同,分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、...
为什么新能源汽车上的IGBT会如此火爆?
如下是仙童半导体的FGH60N60SMD规格参数,主要应用在太阳能逆变器UPS,焊机等领域,可以看到耐压可以达到600V,Ice在常温下可以达到120A(www.e993.com)2024年7月30日。图片来源:华秋商城新能源汽车为什么会用到IGBT呢?新能源汽车是通过电池驱动电机来给汽车提供动力输出的,所以存在交流市电给汽车电池充电和电池放电来驱动电机使汽车行驶的场景。这两...