科学家成功改进等离子体深硅刻蚀技术,将晶圆微纳技术提至10nm级别...
其表示:“目前国内的同类研究尚处于空白阶段,因此我下一步计划在上海搭建平台,力争开发新系统和新仪器,将原位实时监测技术集成到低温等离子体深硅刻蚀技术系统之中。”同时,他将利用AI技术和机器学习技术,动态地调整加工过程参数,希望能够减少实验误差,提高刻蚀品质和结构的一致性。并将通过AI算法打造一款预测大...
MEMS的原理、分类、常见工艺及工具概述
深反应离子刻蚀(DeepReactiveIonEtching,DRIE)是一种高精度的干法刻蚀技术,特别适用于制造具有高纵横比的微结构。DRIE通过使用等离子体产生的高能离子轰击硅片表面,刻蚀出所需的微结构。这种方法可以实现非常垂直和平滑的侧壁,是制造微流体设备和三维微结构的理想选择。在实际操作中,DRIE需要精确的过程控制来达到...
...光刻胶层发生脱落的方法及半导体结构专利,避免湿法刻蚀过程中...
在衬底表面形成栅极氧化层,对栅极氧化层的上表面进行掺氮处理,并经过固化处理,以形成粘附层,粘附层具有较强的粘附性,在粘附层的表面涂覆光刻胶,从而实现将光刻胶粘附固定于栅极氧化层,避免湿法刻蚀过程中易导致光刻胶的剥离,导致最终刻蚀的图案与设定不符,同时会摧毁其它图案的问题。
投资者提问:请问董秘,公司的PMA是光刻胶生产过程清洗、刻蚀以及...
请问董秘,公司的PMA是光刻胶生产过程清洗、刻蚀以及剥离工艺中中必须使用的化学品,有扩产计划吗?董秘回答(百川股份(7.590,-0.30,-3.80%)SZ002455):目前公司PMA产品产能为5万吨/年,如有扩产计划,公司会及时审议公告,谢谢!
...专用温控设备主要应用于刻蚀、PVD、CVD等半导体器件加工工艺过程
公司的半导体器件制造设备专用温控设备是针对其高精度、高可靠性而设计开发的专用设备,能够不间断的提供温度可控的循环液,保障半导体器件制造设备腔室所需的工艺加工温度,满足温度变化范围大、负载瞬间变化、设定温度随时改变等工况要求,能够达到±0.1℃甚至更高温控精度,主要应用于刻蚀、PVD、CVD等半导体器件加工工艺过程...
Semicon半导体工艺:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别和特点
半导体制造工艺中的刻蚀是利用物理和(/或)化学方法有选择性地从晶圆表面去除不必要材料的过程(www.e993.com)2024年7月29日。刻蚀工艺通常位于光刻工艺之后,利用刻蚀工艺对定义图形的光阻层侵蚀少而对目标材料侵蚀大的特点,从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀工艺主要分为干法和湿法两种。
...生产选品过程中一方面关注该产品的经济价值,另一方面注重集成...
先进制程使用的电子特气品类和用量均会大幅增加且对产品纯度和杂质含量要求更为严格。例如六氟丁二烯,与传统刻蚀气体相比,六氟丁二烯刻蚀速率更快、选择性和深宽比更高、环境更友好,在先进制程中应用前景广阔。问:三氟化氮产品目前国产化率是什么情况?公司六氟化钨制造过程中使用的三氟化氮来源?
RIE反应离子刻蚀机在半导体工艺中的应用
RIE反应离子刻蚀机中的刻蚀过程需要在真空环境下进行,因此设备内部有一个真空室。真空室通过抽气系统将气体抽成真空,使真空度达到所要求的工坐条件。离子源产生高能离子束,用于蚀刻材料表面。常用的离子源包括高频电离源和射频电离源。离子源通过加热或电离气体将气体转化为离子。
湖北大学万厚钊/王浩团队MTE:激光刻蚀芯片级柔性微电池
2.Zn金属阳极在水系电解液的析氢行为使之与衬底脱落,导致器件失效。研究思路剖析1.采用激光刻蚀技术构筑芯片级柔性微型MnO2//Zn电池。2.造新地引入一种抑制析氢的碳浆来解决循环过程中锌阳极的脱离问题。3.通过实验与理论研究表明电极中碳层有效地提高了反应过程中的析氢电位,改善了锌阳极剥落的问题...
等离子刻蚀技术——可实现对陶瓷材料的高精度加工和微纳结构制造
01基本原理等离子刻蚀技术的基本原理是通过等离子体在陶瓷表面的化学反应和物理作用,实现对陶瓷表面的刻蚀和加工。而等离子体是一种高能量、高速度、高温度的电离气体,它在和气体或液体接触的过程中可以引起化学反应、物理作用和化学氧化等过程,从而实现对材料表面的刻蚀和加工。