日本存储,新的希望?

说到存储,最开始占据优势地位的是美国公司。1970年代初,美国公司如英特尔和AdvancedMemorySystems率先推出了1KDRAM,主打大型机市场。凭借出色的性价比,英特尔迅速攫取市场份额,占据了领先地位。日本虽试图追赶,但DRAM这种“商品”,生命周期短暂,价格波动剧烈,从1974年至2000年间,DRAM的平均生命周期仅为2-3年。因此...

周五机构一致最看好的10金股

佰维存储已获得惠普、宏碁、掠夺者等国际品牌存储器产品全球运营授权,以及联想在海外市场存储器产品运营授权,有望受益下游厂商高端存储芯片需求提升。点评:存储领域景气复苏,上半年公司业绩同比大幅增长。2024年上半年,公司实现营业收入34.41亿元,同比增长199.64%;归母净利润2.83亿元,同比增长195.58%;扣非归母净利润2.84...

【半导体·周报】雄关漫道真如铁,国产替代当自强,再谈设备材料...

2024年存储市场整体预判:CFM闪存市场数据显示,预计2024年存储市场规模相比去年将提升至少42%以上。总产能上,NANDFlash相比去年增长20%,将超过8000亿GB当量,DRAM预计增长达15%,将达到2370亿Gb当量。在周期性波动的存储市场,回顾2019-2023这一轮周期变化,经历了供过于求、疫情、缺货、库存、超跌,最终以原厂主动减产...

铠侠,怎么啦?|闪存|东芝|海力士|nand|dram_网易订阅

众所周知,半导体产业(尤其是存储器)存在繁荣与萧条交替出现的“硅周期”。大部分企业都是在经济繁荣时赚取大量利润,在经济衰退时为迎接下一次涨潮而投资。但前几年处于大幅亏损中的铠侠,显然无暇跟上三星等行业巨头逆势扩产的步伐,可谓“一步慢,步步慢。”HBM成“当红炸子鸡”,NAND增长受限近年来,随着生成式...

中金2024年展望 | 半导体及元器件:AI及周期复苏主线共振,生产要素...

周期波动角度:进入23Q3后,我们看到受智能手机终端补库叠加安卓新机发布期影响,射频、CIS、SoC存储及模拟等相关板块需求呈现底部脉冲式复苏,23Q4依然可见一定程度的手机芯片持续拉货。但展望2024整体出货量来看,在AI应用落地、传统换机周期加持下,Canalys预计2024年全球智能手机/PC出货量有望同比增长3.5%/8%,相较之下智...

【头条】智能影像时代,IP厂商如何推开“芯视界”的门?

“玲珑”V510/V710VPU采用了多核多格式编解码融合的可编程处理架构,单核的编码或解码性能可达到每秒4K60帧,根据端、边、云等不同场景需求,分别提供1-4核、4-8核等多种配置(www.e993.com)2024年11月8日。在大幅节省存储空间及带宽成本的同时,“玲珑”V510/V710VPU还能轻松按需配置,确保系统性能、功耗和面积的最佳平衡。

大车规与小车规,车规级与功能安全的关系

其中HTDR(高温数据保持)测试对存储器的操作寿命要求是12000小时,温度从90度到150度。了解高温耐久测试的汽车行业小伙伴们都了解,高温耐久测试是汽车行业常用的一种加速老化测试方式,是一种很好的可以在短时间内测试出产品可靠性及耐久性的试验方法。存储器测试方法(来源:AEC-Q100-005标准)...

【山证电子&通信】2024年中期策略报告:AI供需两旺铸就科技新趋势

(2)闪存:对固态硬盘性能和容量提出高要求。AI大模型预训练算法存储容量较大,同时边缘端模型对用户个性化需求需要进行预训练,训练数据及个性化模型参数同样占据一定容量,因此AIPC将对SSD性能和容量提出高要求。(3)电池及充电环节:容量、功率均有所增长。处理器算力升级提高PC整体功耗,电能消耗显著提升,因此为适配芯片...

深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造

相比之下,一个具有相对恒定的2.2V电压降和相对较高的开关损耗的TO-247IGBT可能很难处理25A的电流,即使采用液冷。另一个极大地影响每器件电流容量的因素是,传统的TO-247和TO-220封装的散热器片直接连接到IGBT和MOSFET的集电极或漏极,因此需要在片和散热器之间使用某种绝缘材料。

台积电「系统级封装技术」的弯道超车

系统级封装是将多块功能不同的芯片（包括处理器、存储器等）以并排(2D)或叠加(3D)的方式集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。系统级封装能够异质集成，不同材料的零部件可以被集成到一起，集成度更高而研发周期却相对较短。系统级芯片则是高度集成的一块芯片，复杂度高、研发周期长，而且不能异质集成...