小线宽光刻,只能用EBL?DUV步进光刻的千倍效率了解一下!

一切都是因为EBL电子束光刻机慢且贵，而且是特别特别慢、特别特别贵。目前，200nm～1um的线宽，EBL电子束光刻机确实占据了很大市场。EBL确实在形貌转移、误差控制方面有不可替代的优势，但它又慢又贵的特性，似乎注定不能在量产市场纵横捭阖、扬鞭策马，而只能在实验室里陪着课题组岁月静好，从而送走一届又一届的...

用于芯片制造的粒子加速器,具有类似EUV的光刻能力

目前已经被确定的替代EUV光刻机的方案已经有三种，分别是1、纳米压印光刻（NIL）；2、直接自组装（DSA）光刻；3、电子束光刻（EBL）。EBL电子束光刻机，大家可能熟悉了，美国公司Zyvex，就搞出了一台电子束光刻机(EBL)，并制造了768皮米（0.768nm），不过这种光刻方式速度慢，不可能用于在规模芯片制造。而纳米...

2024年全球电子束光刻系统(EBL)行业需求现状与十四五规划分析报告

2.5.1近三年电子束光刻系统(EBL)主要企业在中国市场占有率(按收入,2021-2024)2.5.22023年电子束光刻系统(EBL)主要企业在中国市场排名(按收入)2.5.3近三年中国市场主要企业电子束光刻系统(EBL)销售收入(2021-2024)2.6全球主要厂商电子束光刻系统(EBL)总部及产地分布2.7全球主要厂商成立时间及电子束光刻...

天价EUV光刻,何去何从?

电子束光刻(EBL)是一种利用高能电子束来替代光源,直接在硅片上雕刻图案的方法,它的分辨率相比于EUV光刻更高,但制造速度很慢,只能逐步刻画,不适合大规模量产。目前它主要用在量子计算芯片、超表面芯片等高精度小批量芯片中。电子束光刻原理图(图源:SpringerLink)在此基础上,业界还推出了MBPlatform——全球首创的...

双光束超分辨光刻技术的发展和未来 | 科技导报

电子束光刻(electronic-beamlithography,EBL)可以实现低于100nm的分辨率,这是由于电子束的衍射表现出极短的德布罗意波长(图1(a))。然而其对光学器件的要求很高,不是一种经济的光刻方法。基于高数值孔径物镜聚焦的光束光刻(opticalbeamlithography,OBL)技术是三维纳米加工的一种有效途径(图1(b))。然而,光的衍射...

国产进入新一轮研发潮:电子束曝光机市场与企业盘点

导读:我国电子束曝光技术是六十年代后期开始发展起来的,到七十年代,近十家从事电子束曝光技术研究的单位,在北京、上海、南京分别以大会战的方式组织了较强力量的工厂、研究所和高等院校研制(www.e993.com)2024年11月29日。电子束曝光机概述电子束曝光(EBL,也称之为电子束光刻)始于上世纪60年代,是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和...

光刻技术,有了新选择

选择之三：电子束光刻（EBL&MEBL）技术说到电子束光刻技术，在这里要再提及一下光刻技术的原理。众所周知，光刻是整个微加工工艺中技术难度最大，也是最为关键的技术步骤。所谓光刻就是通过对光束进行控制，在一层薄薄的光刻胶表面“刻蚀”出我们需要的图案，光束照过的位置光刻胶的化学性质会发生变化，通过...

...|彭孝军、陈鹏忠团队:负性双烷基配位锡氧团簇极紫外(EUV)光刻...

近日，大连理工大学彭孝军院士、陈鹏忠副研究员团队报道了一组负性双烷基配位的锡氧团簇极紫外（EUV）光刻胶Sn4-Me-C10和Sn4-Bu-C10，并研究了他们在曝光时的自由基效应和光刻反应机理。通过电子束（EBL）和EUV曝光，并结合TGA-MS、EPR和XPS等实验，研究发现不同的Sn-C键会导致材料在EUV光刻反应过程的显著差异...

可实现0.7nm制程光刻机诞生?是挑战还是契机?

但电子束光刻的主要优点是它可以绘制具有10nm以下分辨率的自定义图案。“ZyvexLitho1”所采用的电子束光刻(EBL)技术的核心则是基于扫描隧道显微镜(STM):使用氢去钝化光刻(HDL)从Si(100)2×1二聚体列(dimerrow)重建表面去除氢(H)原子。在该过程中无需将操作模式从成像切换到光刻,这样也可以潜在地减少尖端...

0.768nm堪比两个硅原子!美国造出全球最高分辨率的光刻机

它并没有采用EUV光刻技术,而是基于STM扫描隧道显微镜,使用的是电子束光刻(EBL)方式,可以制造出具有0.768nm线宽(相当于2个硅原子的宽度)的芯片,精度远超EUV光刻机。一、实现更高的分辨率和精度的关键:氢去钝化光刻ZyvexLitho1所采用自我显影的电子束光刻(EBL)技术的核心是使用氢去钝化光刻(HDL)从Si(100)2...