合洁科技成功中标杭州半导体晶圆净化工程总包项目!
合洁科技成功中标杭州半导体晶圆净化工程总包项目!????近日,合景智慧建设(广东)有限公司中标杭州氧化镓单晶材料超净厂房项目,这是本季度中标的第六个重点净化工程项目。合景智慧建设作为洁净厂房建设行业佼佼者,专注服务高端制造业,“协同共建”助力硬科技高质量发展。????该项目位于浙江,项目建成后,将是国内...
...积极配合国内外客户开发适用于硫化物全固态的单晶正极材料
2、固态电解质方面,(1)公司通过结构改善,成功开发出第二代低残碱、高比表的锂镧锆氧LLZO,应用在正极材料包覆、正负极添加剂;(2)公司开发出磷酸钛铝锂LATP粉体和浆料等两种规格体系,应用在正极材料包覆、隔膜涂覆,有效改善安全性。
上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
传统硅基非晶栅介质材料表面悬挂键较多,与二维半导体材料形成的界面存在大量电子陷阱,影响二维晶体管性能。单晶栅介质材料能够与二维半导体沟道材料形成完美界面,但单晶栅介质材料生长通常需要较高工艺温度和后退火处理,易对二维半导体材料造成损伤或无意掺杂,形成非理想栅介质/二维半导体界面,且界面态密度通常高达1011cm-2e...
科学家发现碳家族单晶新材料
由于不对称成键结构,单层聚合C60中每个C60单元被拉伸成方向一致的椭球形,从而使得这种新的碳材料具有显著的平面各向异性,如各向异性声子模式和电导率,这意味着该材料在非线性光学和功能化电子器件方面可能具有应用前景。此外,由于其独特的共轭碳结构、巨大的超晶格和多孔骨架结构,该二维簇聚碳材料或在超导、量子计算、...
我国科学家实现材料突破,可用于开发低功耗芯片!
单晶栅介质材料能形成完美界面,但通常需要较高的工艺温度,易对二维半导体材料造成损伤,也难以达成理想的绝缘效果。”狄增峰说。而他们开发的单晶氧化铝栅介质材料,即使在厚度仅为1纳米时,也能有效阻止电流泄漏。氧化铝为蓝宝石的主要构成材料。传统氧化铝材料通常呈无序结构,在极薄层面上的绝缘性能不佳。团队采用单晶...
三元材料升级之路:高镍、高压、单晶化
高镍单晶路线中,在高镍含量的环境中,三元材料的稳定性通常较差,而单晶材料因其稳定的化学性质,展现出更优异的循环性能(www.e993.com)2024年9月7日。通过适当的掺杂处理,可以进一步提高高镍三元材料的安全性能。不过,随着三元正极材料向高镍化、高压化和单晶化方向发展,虽然这带来了能量密度的提升、安全性能的增强和成本的降低,但也使得材料...
我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石,这种材料具有卓越的绝缘性能,即使在厚度仅为1纳米时,也能有效阻止电流泄漏。相关成果8月7日发表于国际学术期刊《自然》。“二维集成电路是一种新型芯片,用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料...
铋化镁Zintl相单晶热电材料塑性变形的微观机制 | 进展
通过对比不同材料的室温热电性能与材料的最大拉伸应变,可以发现铋化镁单晶兼具优异的塑性与热电性能,其性能优于目前的塑性半导体材料。基于铋化镁(Mg3Bi2)单晶在室温下具备大塑性变形能力,物理所王玉梅指导博士生薛文华等利用球差矫正透射电子显微镜对铋化镁(Mg3Bi2)单晶及碲掺杂的铋化镁(Mg3Bi1.998Te0.002)的微观...
哈工大科研团队在《自然》发表塑性热电材料领域重要研究成果
此外,铋化镁单晶可以在室温下轻松实现弯折、扭曲等多种类型的塑性形变。铋化镁单晶除了具有出色的塑性变形能力外,优化后的铋化镁单晶在室温下还表现出优异的热电性能。通过对比不同材料的室温热电性能与材料的最大拉伸应变,可以发现铋化镁单晶兼具优异的塑性与热电性能,其性能优于目前的塑性半导体材料。不仅如此,利用...
中国科大研制多元硫化物单晶纳米带光催化剂
纳米晶的形貌和表面晶面可以有效地增强和优化半导体材料的光催化性能,而且单晶结构的CZIS更有利于电荷分离进而增强光催化性能。研究人员基于第一性原理密度泛函理论(DFT)计算研究了表面晶面对纤锌矿CZIS纳米晶光催化反应的影响。计算结果表明,在光催化析氢反应(HER)中,纤锌矿CZIS的(0001)面具有最小的吉布斯自由能(图...