MOS管及其外围电路设计
该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和...
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
电源设计,这些细节要知道
48.驱动电阻尽量靠近MOS、电流采样的电阻尽量靠近芯片,避免产生其它看不到的后果。PCB布局铁律49.分享一个辐射整改案例,一个长条形散热片有2个脚,2只脚都接地,辐射硬是整不过,后来把其中一只脚悬空,辐射频段变好。后面分析原因是2只脚接地会产生磁场回路。这个整改花了很多钱50.配有风扇的电源,PCB布局要考...
干货| 单片机I/O口驱动,为什么一般都选用三极管而不是MOS管?
3.3V电压肯定是大于Ube的,所以直接在基极串联一个合适的电阻,让三极管工作在饱和区就可以了。Ib=(VO-0.7V)/R2。图2驱动三极管示意图②驱动MOS管通过前面也了解到,MOS管的饱和电压>3.3V,如果用3.3V来驱动的话,很可能MOS管根本就打不开,或者处于半导通状态。在半导通状态下,管子的内阻很大,驱动小电流负...
为什么MOS管需要提升关断速度?如何解决这个问题?
说起mos管关断,通常电压会比开通时高,所以关断的损失也会比开通时大,所以我们自然希望电路关断的速度能更快些。那么,咱咋能让mos管快些开关呢?咱们看看这张图在mos管开通时,电阻R1和R4限制了电流,这样就能给mos管电容充电;要注意的这儿,R1和R4的电阻值并非固定,而且,R1通常小于R4。
样板打回来了,但驱动波形很糟糕。
电阻R3的作用主要起到阻尼振荡的作用,让管子导通的不那么快,吸收管子的振荡尖峰(www.e993.com)2024年9月8日。阻值越大,振荡越小,但效率也会降低。图六驱动电路中的寄生电感最后,驱动电路部分一定要注意的几个细节:1.布局时,驱动部分一定要靠近MOS管且MOS管的驱动回路面积要尽量短,减小寄生电感的影响。
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
上拉电阻是指将不确定的信号钳位在高电平,同时起限流作用的电阻。由于I2C通信是开漏输出的(只能输出低电平不能输出高电平),因此需要加上拉电阻,使其可以输出高电平。11、单片机可以直接驱动MOS管吗?解题思路以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不是我们一般IO管脚可以提供的,所以我们一般采用到了推挽电路(推挽电路需考虑三极管器件的0.7V压降)或者专用的驱动芯片进行驱动**。**4.MOS管的SOA参数说明:**...
如何让MOS管快速开启和关闭
驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的VCC和GND引脚,否则走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。常见的MOS管驱动波形:如果出现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧。有很大一部分时间管子都工作在线性区,损耗极其巨大。一般这种情况是布线太长电感太大,栅极电阻都救不了你,只能重新画板子。
开关电源电路设计的10个经验
以我们常用的BUCK电路为例,如下图:控制IC的地一般是与输入电源的地共地的,而MOS管的S极与输入电源的地之间还有一个二极管,所以控制IC的驱动信号不能直接接到MOS管的栅极,而需要额外的驱动电路或驱动IC,比如变压器隔离驱动或类似IR2110这样的带自举电路的驱动芯片。