亚1nm技术节点CMOS集成电路的发展之径:晶体管三维堆叠的结构与...

逐步从平面晶体管演进到鳍式场效应晶体管(FinFET),再到最新的堆叠纳米沟道(StackedNS/NW)全环绕栅极FET(GAAFET),通过晶体管内部沟道的三维化(3Dchannel)实现更多栅电极控制以增强器件沟道中载流子导电开关能力和传输效率,从而将大规模IC微缩到最新的3nm技术节点附近,未来有望突破到1nm节点附近。然而,因为MOS晶体管...

多团队联合攻关设计量子效应掺杂范式,研发p型场效应晶体管,突破...

其中,垂直堆叠式互补场效应晶体管结构的PMOS(n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管,positivechannelMetalOxideSemiconductor)和NMOS(N型金属-氧化物-半导体,N-Metal-Oxide-Semiconductor)器件在垂直空间上堆叠,由位于NMOS与PMOS之间的公共栅极调控。从最初的平面场效应晶体管,到鳍式场效...

0.1纳米时代!巨头发力下一代晶体管CFET

IEDM2021大会中英特尔的有关晶体管堆叠技术的邀请报告《Opportunitiesin3-DstackedCMOStransistors》中就引用了上述论文,且是引用文献中时间最早的一篇;台积电在VLSI2021的报告《CMOSDeviceTechnologyfortheNextDecade》中指出,北京大学的3DStackedCMOS晶体管是业界第一个堆叠互补晶体管,比台积电和英特尔...

把晶体管叠起来、从背面供电:剖析IEDM上几个摩尔定律新技术

其一是3D堆叠CMOS晶体管——也就是过去我们常说的CFET,并且以3D堆叠晶体管为基础,去做backsidepowerdeliverynetwork背面供电网络(以下简称BSPDN);其二是BSPDN不光可以用PowerVia做垂直互联,现在还出现了一种名为Back-sideContacts(Intel似乎将其译作了背面触点)的技术;还有一项突破是在一片300mm晶圆上,实现硅...

南开大学,最新Nature Electronics??!

然后可以将它们层压到几层二硫化钼(MoS2)上作为栅堆叠,电容等效厚度为0.9nm,电容密度约为3.9μFcm??2。作者的MoS2顶栅晶体管采用2nm厚的Al2O3或HfO2电介质,具有10??6??A??cm??2的漏电流、约0.45??V的低工作电压和小于1??mV的迟滞。相关成果以“Verticallygrownmetal...

湖南大学85后「国家杰青」团队,以唯一单位发Nature!

利用这种技术,作者成功地M3D集成了10层大型2D晶体管,其中底部2D晶体管在重复层压顶部电路层后不受影响(www.e993.com)2024年11月23日。总体而言,作者的研究通过逐层vdW集成展示了晶圆级多层M3D集成系统,为制造具有更多堆叠电路层的M3D器件开辟了一种替代方法。

锐石创芯实现国产高压天线调谐开关量产突破

传统射频开关设计会通过MOS管的堆叠设计来满足更高耐压的需求,但随着堆叠MOS管的数量增加会出现耐受功率非线性增长的问题,还会给产品带来Ron的退化以及面积的损失。锐石创芯通过电路设计和版图布局优化了开关管设计,在不进一步损失面积和耐压的情况下,提升了天线调谐开关Vpeak性能。

金属所/中大/国科大/辽宁材料实验室/山西大学牵头,12家单位合作...

例如,通过重新布线垂直堆叠的四个晶体管,也可以实现具有14个vdW层的SRAM的功能,如图4c、d所示。为了显示普适性,图4e显示了p型MoS2和MoSe2的场效应曲线统计数据。图4f、g说明了典型器件的输出性能特征和通道长度的影响。界面耦合诱导的p掺杂和由此产生的VIP-FET是本研究发明的关键技术,从概念上讲适用于未来2D半导体...

英特尔展示新堆叠式 CFET 晶体管架构,采用下一代 GAA 技术设计

英特尔的GAA设计堆叠式CFET晶体管架构是在imec的帮助下开发的，设计旨在增加晶体管密度，通过将n和p两种MOS器件相互堆叠在一起，并允许堆叠8个纳米片（RibbonFET使用的4个纳米片的两倍）来实现更高的密度。目前，英特尔正在研究两种类型的CFET，包括单片式和顺序式，但尚未确定最终采用哪一...

一文了解DrMos在主板和显卡中的应用

DrMOS来自瑞萨,型号ISL99380,是一颗80A输出的功率级模组,芯片内部集成高精度电流检测和温度检测。内置完善的保护功能,包括上管短路和过电流保护,智能反向过电流保护,过热保护和供电欠压闭锁,采用QFN5*6封装,适用于CPU、GPU以及ASIC供电。相关阅读:1、拆解报告:技嘉B650EAORUSPROXUSB4主板...