7nm芯片后,工艺制程已不重要了,这大大利好中国芯

大家知道,芯片工艺28nm,指的是什么东西是28nm么?其实,很早之前,这个XX纳米,指的是芯片晶体管的栅极长度(gatelength),即晶体管中源极和漏极之间的距离,这个长度是多少,就指芯片的工艺是多少。后来,芯片厂就琢磨,既然栅极长度代表的芯片工艺,那就是想方设法缩短这个长度,工艺不就提升了么?于是在1994前,300n...

大型科普(三)为什么28nm光刻机上多曝也无法做到7nm?

第三、晶体管的实际参数及定义上一篇已经举例了28nm的实际gatelength从40nm-31nm有好几个版本相信大家都已经理解了。也知道从28nm开始,所谓的工艺节点和实际晶体管的gatelength的大小已经不是一一对应,而是等效关系。接下来我们在进入更深的层次探讨。晶体管大小的实际参数一共有多少个,工程师们是如何定义它们...

过去十年芯片没有变得更便宜:单个晶体管成本下降定格在28nm

近期谷歌的MilindShah验证了这种说法,指出28nm以后1亿个晶体管的单位实际成本其实是略有上升,并没有变得便宜,之后各个制程节点迭代之间基本持平。很长时间以来,业界一直担心新的制程节点的单位晶体管成本回报递减,因为制造更先进的芯片需要更好的技术,晶圆厂也需要更复杂的设备,成本也是不断上涨,现在要建造一座具备尖...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

台积电7nm从DUVi的N7、N7P,到EUV的N7+及N6共四个版本,晶体管密度从0.91提升到1.16亿,三星为0.95亿,英特尔2020年才量产1亿晶体管密度,而在这个节点上,台积电已先一步帮华为生产出全球首款5nm手机芯片麒麟9000,晶体管密度达1.5亿+。2020年,三星宣布量产5nm,但晶体管密度只从7nm的0.95亿小幅提升至1.27亿,改...

台积电不断升级芯片工艺,从28nm到3nm,是惊天大骗局?

首先是从28nm后，所谓的芯片工艺，是等效工艺，和晶体管密度、栅极宽度、金属半间距等已经没有直接的等号对应关系了。同时，各个晶圆厂，其相同的工艺下，晶体管密度，栅极宽度等都不一样，比如台积电的7nm、三星的7nm、intel的7nm，晶体管密度是完全不一样的，特别是5nm时，相差就更大了，这其实是不符合对同一种...

摩尔定律已死在28nm!芯片越来越贵的秘密找到了

快科技2月5日消息,Google集成电路封装部门主管MilindShah的最新研究显示,2012年的28nm工艺节点之后,晶体管的平均成本已经不再下降,自然导致芯片的成本和价格居高不下(www.e993.com)2024年11月15日。他指出,28nm及之前,晶体管平均成本在每一代新工艺上都会降低30%,但28nm之后,每一代都基本不变,甚至还略有增加,直到最新的3nm才相比5nm略有下...

定格28nm,“摩尔定律已死”添新证据:晶体管成本 10 年前已停止下降

1亿栅极晶体管自2014年28nm以来成本陷入停滞,并未下降三维半导体集成公司MonolithIC3D的首席执行官ZviOr-Bach早在2014年就提交了一份分析报告,显示每晶体管成本在28纳米时已停止下降。谷歌的MilindShah在IEDM2023的短期课程(SC1.6)中验证了这一说法。他指出,自台积电2012年量产...

国产光刻机突破28nm了吗

由于出口管制等特殊原因,这两年光刻机频繁被提及,科技人群或多或少对光刻机有一定了解。一句话总结,光刻机就是通过特殊的工艺,将图案微缩之后,投影在硅晶圆上并刻蚀晶体管电路,进而实现芯片制造。光刻机依照光源不同,可以分为UV,DUV以及EUV三大类型。

一个尴尬的事实:芯片工艺越先进,价格越贵,性能提升越小

而芯片性能，主要靠晶体管多少来决定的，密度高，单位面积内的晶体管多，性能就强，如果密度不提升，晶体管数量不多，性能就不会有什么变化。而越到接近物理极限，提升晶体管密度就越困难，所以就导致了目前这个局面。可以预计的是，当3nm到2nm，2nm到1.4nm，1.4nm到1nm时，成本会更高，而性能提升的可能会更...

770亿晶体管的挑战:如何让汽车SoC耐用15年?

以英伟达DRIVEThor芯片为例,它是一颗能够提供2000TOPS算力的车规级SoC,内建晶体管数量达到770亿个。如下图所示,为了释放DRIVEThor芯片的性能,DRIVEThor的设计非常复杂。图1:基于英伟达DRIVEThor的系统(图源:英伟达)然而,只是完成芯片设计和系统设计是不够的。在实际应用场景中,可靠性和安全性保障有时候比...