抢占SiC,谁是电动汽车市场的赢家?
SiC二极管及MOSFET器件用于车载充电机PFC和DC-DC次级整流环节,推动车载充电机向双向充放电、集成化、智能化、小型化、轻量化、高效率化等方向发展。以22kW双向OBC为例,SiC系统成本与Si相比,减少了15%;同时能量密度是Si系统的1.5倍,通过减少能耗每年可减少单位成本40美元左右。采用全SiCMOSFET方案的车载充电机,...
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力...
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品,其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五...
第5讲:SiC的晶体缺陷
离子注入产生的缺陷被认为会作为载流子的复合中心。例如,在SiC的PN二极管中,会减少存储电荷并降低反向恢复电流。最近,也有尝试将离子注入产生的缺陷用作抑制SiCMOSFET体二极管特性劣化的方法。
SiC MOSFET在电动汽车中的应用问题
由于SiC晶体上存在的基面位错(BPD),SiCMOSFET的体二极管处于双极性状态。体二极管的退化会导致体二极管导通状态下的载流子传导不良,从而引起额外的通态损耗,还会造成关断状态下的高漏电流,影响器件的耐压能力。这些异常增加了SiCMOSFET在长期使用期间的失效率,也增加了使用SiCMOSFET的零部件的失效率。4、SiCMO...
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计...
日前,威世科技VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出16款新型第三代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管。VishaySemiconductors器件采用混合PIN肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
119家功率器件厂商汇总|晶体管|二极管|氮化镓|igbt|电子元器件|...
瑶芯微电子科技(上海)有限公司主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售,主营产品为功率器件(中低压TrenchMOS以及SGTMOS,高压SJ超结MOS,IGBT,FRD,SiCMOS和SiC二极管)和MEMS传感器以及信号链IC(www.e993.com)2024年10月17日。主要应用领域为:消费类和工业类以及车载的功率器件应用(比如手机快充,工业开关电源,光伏储能逆变...
分析丨SiC风口正劲,从工业领域切入未来
目前SiC二极管、MOSFET已经开始商业化应用。下游应用方面,导电型碳化硅功率器件主要以新能源车、充电设备和光伏、工业为主。其中在新能源汽车市场占比最高,达到63%。②性能进一步提升:未来的SiC器件可能会在性能上进一步提升,例如更高的击穿电场、更低的导通电阻、更快的开关速度等,从而满足更苛刻的工业应用要求。
士兰微、东尼电子等5家SiC相关厂商发布上半年业绩预告
闻泰科技是集研发设计和生产制造于一体的半导体产品集成企业。其半导体业务采用IDM模式,产品包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOS器件、GaNFET、SiC二极管与MOS、IGBT以及模拟IC和逻辑IC。2023年,在三代半领域,闻泰科技实现了GaN产品D-M系列产品工业和消费领域的销售,同时E-M产品通过所有测试认证,于2024年开始...
看好SiC?泸州老窖跨界投资这家SiC企业!
据介绍,泰科天润现已推出多款新品,包括1200VSiCMOSFET、2000VSiC二极管、IGBT混合单管,并实现批量销售。其中,1200V40/80mΩSiCMOSFET已经在大功率充电模块应用上,累计经受了88万个小时的电动汽车充电实战应用,包括夏季户外高温场景,累计为新能源汽车进行800多万度电的超快充电。
第三代半导体发展现状及未来展望
在SiC二极管方面,三安光电、华润微电子有限公司(华润微)、闻泰科技股份有限公司(闻泰科技)等厂商研制出的SiC二极管性能数据表现优异,主要应用于超高性能、低损耗和高效率电源等领域。终端应用层上,新能源汽车占比最大,多品牌、多类型新能源汽车不断采用SiC方案,800V将成为电动汽车主流平台。