...Adv.:12%创纪录效率!基于自组装单层蓝色钙钛矿发光二极管
基于自组装单层蓝色钙钛矿发光二极管目前,蓝色钙钛矿发光二极管(LED)已经具有超过10%外量子效率(EQE)的性能。然而,真正蓝色发光器件必须符合Rec.2100原色所需发射波长,迄今为止被仍限制在约6%的EQE以内。在真正蓝色发光器件中,许多研究发现CsPbBr3胶体纳米晶体(c-NC)存在高电荷注入势垒,这一问题在含有多层纳米晶体的薄膜...
??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
中和电容:并接在三极管放大器的基极与发射极之间,构成负反馈网络,以抑制三极管极间电容造成的自激振荡。定时电容:在RC时间常数电路中与电阻R串联,共同决定充放电时间长短的电容。缩短电容:在UHF高频头电路中,为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,...
离子注入机的“机遇”与“挑战”
离子注入工艺的原理是利用加速器将离子束加速到高速,然后将离子束引导到太阳能电池的硅片表面,离子束与电池片表面相互作用,使得离子进入太阳能电池的表面层,注入的离子将太阳能电池片表面的原子替换为注入的离子,从而改变电池的光电性能,提升太阳能电池的光电转换率。离子注入制备发射极在高方阻情况下能保证很好的均匀...
基础知识之晶体管
晶体管的基极??发射极之间的电阻与内置输入电阻的比率。五、MOSFET特性关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧化膜绝缘,DS(漏极、源极)间形成PN接合,成为内置二极管构造。Cgs...
光刻工艺:基于DSP增益可控的光刻机,检测高电路的设计研究
采用比例恒流源和镜像恒流源组合,设计了输出功率稳定可调的激光二极管驱动电路和线阵CCD的驱动电路,借助DSP定时器周期调节灵活的优点,方便地调节光积分时间来提高信号质量。针对光刻工艺中不同的测量对象表面的光学特征,自动进行激光二极管增益控制和光积分时间调节,提高测量的适应性和测量效率。
分立器件行业概况及二极管、三极管、MOSFET的发展情况
二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性元器件,产品结构一般为单个PN节结构,只允许电流从单一方向流过(www.e993.com)2024年7月15日。自20世纪50年代发明至今,已陆续发展出开关二极管、整流二极管、肖特基二极管、TVS二极管、快恢复二极管、ESD保护二极管等系列,具有安全可靠等特性,广泛应用于整流、稳压、保护等电路中,是电子...
电光转换效率超50%!IPG引领低碳环保,践行绿色生产
分布式单发射芯结二极管泵浦结构是将多个单发射极半导体二极管形成独立的发光元件组件,其中任何单个发射器泵的故障都不会影响其余泵组件的性能,以此提供高效可靠的电源。同时,IPG单发射极二极管的耦合效率(90-95%)和能量效率(50-60%)均明显高于条形堆叠替代方案。
二极管到集成电路——半导体技术进化之路
就像李·德佛瑞斯特在真空二极管中加入栅极一样,1947年,贝尔实验室的肖克利(WilliamShockley)、巴丁(JohnBardeen)和布拉顿(WalterBrattain)在半导体二极管中增加了一个电极,形成了集电极、基极、发射极三极结构,并使用基极(类似于真空三极管中的栅极)来调控发射极到集电极之间的电流。他们三人制备出了第一个半导体晶体...
英飞凌推出650V CoolSiC Hybrid IGBT,可降低成本,提高效率
与标准的Si二极管解决方案相比,新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。也可在输出功率保持不变下,开关频率提高至少40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸,进而降低物料成本。该HybridIGBT可直接替代TRENCHSTOP??5IGBT,无需重新设计,便能使每10kHz开关频率提升0.1%的效率。
带你全方位了解二极管
锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。2.整流用二极管...