三星申请用于在散列存储中执行高速缓存的系统和方法专利,提高存储...

专利摘要显示,提供一种存储器设备的方法。该方法包括:至少部分地基于源索引来识别标签存储器的标签地址;访问对应于标签地址的高速缓冲存储地址;将标签存储器内容和至少部分源索引进行比较以识别是否存在匹配或者是否存在冲突;以及响应于识别是否存在匹配或者是否存在冲突,从高速缓冲存储地址获取信息。金融界提醒:本文内容、...

聚焦下一代信息存储技术 中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展

缓冲层应变增强的隧穿电致电阻效应。中国科学院金属研究所/供图据论文共同通讯作者胡卫进研究员介绍，铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应获得不同的电阻态，实现数据存储功能，具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，属于下一代信息存储技术。隧穿电致电阻是...

存内计算芯片:What?When?Where?|信号|基元|算法|存储器|数据流|...

Livia[13]还研究了修改CPU中的高速缓冲存储器,以尽量减少不规则数据访问的整体数据搬运。它提出了一种系统架构,可在存储器层次结构的不同位置动态调度任务和数据。相比之下,我们的重点是关注高度规则的工作负载(GEMM),并确定CiM基本计算单元提供的并行性是否能与高速缓存层次结构提供的局部性优势相匹配。To...

佰维存储2023年年度董事会经营评述

公司紧随存储器大容量、大带宽、低延时、低功耗、高安全、小尺寸等升级方向,在移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等六大应用领域持续创新,打造了全系列、差异化的产品体系及服务,主要产品为半导体存储器,主要服务为先进封测服务,其中半导体存储器按照应用领域不同又分为嵌入式存储、PC存储、工车...

金属所通过外延应变调控铁电极化??实现巨大隧穿电致电阻效应

铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态,从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构,铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点,近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻(或开关比)是衡量隧道结性能的核心指标。2005年,理论模型提出,隧穿电致...

“大芯片”的挑战、模式和架构

模型形状的优化(www.e993.com)2024年11月29日。我们采用Tetris芯粒加速器[40]的2D集成和3D堆叠实现来证实物理设计,特别是集成技术,通过改变性能曲线的形状来从根本上优化芯片性能。2D和3D实现的主要区别在于片外访问方式。2DTetris使用LPDDR3,符合等式10中的关系。3DTetris使用混合存储器立方体(HMC)[41],[42]作为三维存储器基板,...

存储器基本概念及分类介绍

(1)非永久记忆的存储器:断电后信息即消失的存储器。(2)永久记忆性存储器:断电后仍能保存信息的存储器。5、按在计算机系统中的作用分根据存储器在计算机系统中所起的作用,可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。为了解决对存储器要求容量大,速度快,成本低三者之间的矛盾,目前通常采用多...

ARM存储器之:高速缓冲存储器Cache

15.3高速缓冲存储器Cache当第一代RISC微处理器刚出现时,标准存储器元件的速度比当时微处理器的速度快。很快,半导体工艺技术的进展被用来提高微处理器的速度。标准DRAM部件虽然也快了一些,但其发展的主要精力则放在提高存储容量上。1980年,典型DRAM部件的容量为4KB。1981年和1982年开发出了16KB芯片。这些部件的随机访...

内存储器特点分析【详细介绍】

内存一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE)。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。(synchronous)SDRAM同步动态随机存取存储器:SDRAM为168脚,这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使CPU和RAM能够共享一个时钟周期,以相同的速度...

瞭望| 探索在下一代存储技术最前沿

宋志棠介绍,当前传统的主流存储器有闪存(3DNAND)和内存(DRAM)两种,其中闪存容量大但速度慢、断电不失数据;内存速度快,DRAM快于10纳秒、高速缓冲存储是几百皮秒;但容量小、断电丢失数据。两者性能互补、配合使用,前者大量存储数据,后者充当闪存与处理器(CPU)之间的动态运算桥梁。