吃透MOS管,看这篇就够了
从图1-3-A可以看出,增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压,图1-3-B所示,即VGS>0,则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层...
双极性结型晶体管的开关损耗
我们可以通过假设这些固定值,然后通过标准电路分析技术确定基极和集电极电流,来获得导通损耗的粗略估计。用LTspice估算传导损耗SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
从图1-3-A可以看出,增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压,图1-3-B所示,即VGS>0,则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层...
整理分类:晶体管的类型分析|栅极|bjt|场效应晶体管|mosfet_网易订阅
晶体管的工作可以通过控制基极电压来调节发射极和集电极之间的电流。当在基极施加正向偏压时,会引起基区的载流子浓度增加,从而使得发射极和集电极之间的电流增大。反之,当基极施加反向偏压时,会使得基区的载流子浓度减小,从而导致发射极和集电极之间的电流减小。晶体管的工作可以分为两种基本模式:放大模式和开关模式。在...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区或者线性工作区域是这样的,集电极-基极的结总是反向偏置的,这意味着通常情况下,集电极电压是等于或大于基极电压的,它甚至可以被稍微比基极电压低一点,但不要降低到足以打开集电极-基极的结的程度。在特性曲线的放大区,你画一条垂直的线,上图的红色线,含义如下:集电极和发射极之间的电压(UCE)不变,增加基极...
基础知识之晶体管
下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管(www.e993.com)2024年8月17日。当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。
一文读懂三极管的符号、分类及如何判断极性
将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好。d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。关键字:三极管符号引用地址:一文读懂三极管的符号、分类及如何判断极性...
多数比较器输出级为集电极开路结构,需要上拉电阻
从内部图可以看出运算放大器和比较器的差别在于输出电路。运算放大器采用双晶体管推挽输出,而比较器只用一只晶体管,集电极连到输出端,发射极接地。比较器需要外接一个从正电源端到输出端的上拉电阻,该上拉电阻相当于晶体管的集电极电阻。运算放大器可用于线性放大电路(负反馈),也可用于非线性信号电压比较(开环或...
单极性pwm原理图分析 详解单极性pwm实际应用
因此电桥使用的IGBT的集电极一发射极间电压VCES的绝对最大额定值应该大于100V,集电极电流IC的最大额定值在2A以上。对于电动机这样的感性负载,当驱动电压突动机产生的反电动势烧坏开关器件,在H桥各开关中必须接入续流二极管,用于吸收反电动势。很多开关用IGBT在集电极和源极之间内藏续流二极管,因此二极管的应该满足...
双极性晶体管基础知识详解
在通常情况下,双极性晶体管的几个区域在物理性质、几何尺寸上并不对称。假设连接在电路中的晶体管位于正向放大区,如果此时将晶体管集电极和发射极在电路中的连接互换,将使晶体管离开正向放大区,进入反向工作区。晶体管的内部结构决定了它适合在正向放大区工作,所以反向工作区的共基极电流增益和共射极电流增益比晶体管...