高抗折弯曲强度氮化硅陶瓷夹具的性能缺陷

这一特性使得氮化硅陶瓷在需要快速散热的应用中表现不佳。氮化硅陶瓷的微观结构也会影响其导热性能。即使在高质量的氮化硅陶瓷中,烧结过程中也可能产生气孔、杂质和晶界等缺陷。这些微观结构缺陷会成为声子散射的中心,进一步降低了声子的平均自由程,影响了热量的传递。因此,尽管氮化硅陶瓷在机械性能方面表现出色,但其复...

奕斯伟申请硅晶圆的边缘缺陷检测相关专利,能够避免造成产品浪费和...

金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“硅晶圆的边缘缺陷的检测方法及装置、处理方法、产品”的专利,公开号CN118824883A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明提供了一种硅晶圆的边缘缺陷的检测方法及装置、处理方法、产品,属于半导体制造技术领域。...

光伏周价格|183N型电池片价格率先反弹,硅料价格或将松动下行

周价格观察硅料环节本周硅料价格:单晶复投料主流成交价格为37元/KG,单晶致密料的主流成交价格为35元/KG;N型料报价为41元/KG。交易情况周内多晶硅整体有小规模成交,仍处低水位状态,部分成交价格出现松动,以低价混包料为主。库存动态本周硅料库存水位呈现小幅上行趋势,其中六成以上库存集中在头部四家硅料...

辽宁博芯科申请单晶硅棒缺陷检测专利,提高单晶硅棒位错缺陷检测...

金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,辽宁博芯科半导体材料有限公司申请一项名为“一种单晶硅棒的缺陷检测方法及系统”的专利,公开号CN118759050A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,本申请涉及硅棒缺陷检测技术领域,具体涉及一种单晶硅棒的缺陷检测方法及系统,具体包括:根据反射回波及透射回波中波峰...

...论在范德华层状材料中利用光学可寻址自旋缺陷进行量子传感

其中一些系统包括金刚石中的锗空位(GeV)和硅空位(SiV),其他宽带隙半导体中的自旋缺陷,如SiC中的硅空位中心,SiC中的硅空位中心,以及最近报道的氮化镓和AlN中的单个色心。在被探索的色心中,一些已经显示出了特殊的光学特性,包括明亮的零声子线、大的德拜-沃勒因子和受寿命限制的线宽。这些特性使它们有望在于光子量子...

OpenAI o1 如何延续 Scaling Law,与硅基流动袁进辉聊 o1 新范式

OpenAI发布新模型o1后的第二天，我们邀请了硅基流动创始人袁进辉与我们分享了o1的技术意义，也讨论了今年1月至今，袁进辉观察到的AI开发者社区变化(www.e993.com)2024年11月28日。o1的一个重要变化就是增加了分配给推理（inference，即大模型的使用）阶段的算力，推理阶段计算（test-timecompute）重要性提升。而袁进辉今年初创立的...

下一代信息技术核心——硅光技术的进展与趋势

在集成电路技术飞速发展的今天,硅光芯片技术的兴起并非偶然。集成电路虽然在微电子技术上取得了显著的进步,但在数据传输和能效方面仍面临着难以克服的瓶颈。硅光芯片作为一种新兴技术,能够在很大程度上弥补这些缺陷,并为未来的高性能计算和通信提供解决方案。集成电路的

...制备工业兼容单片钙钛矿/晶硅叠层电池-采用双混合自组装单分子层

这个结果是在使用反溶剂方法在工业CZc-Si电池上制造的最先进的P/S-TSC中观察到的最佳值之一。串联装置的EQE光谱显示,顶部和底部子电池的积分JSC分别为18.62和19.07mAcm-2,与J-V结果非常吻合。使用共焦激光扫描荧光显微镜(CLSM)分析沉积在织构化硅上的钙钛矿膜的表面微尺度特,发射光谱的变化表明PbI2积聚在切割...

6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究

研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25cm-2以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长。引言碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,因其优异的材料特性,如禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子漂移速度快、热导率高,可以满足功率电子技术对高温、高功率、...

沪硅产业2023年年度董事会经营评述

随着半导体制程的不断缩小,芯片制造工艺对硅片缺陷密度与缺陷尺寸的容忍度不断降低。对应在半导体硅片的制造过程中,需要更加严格地控制硅片表面微粗糙度、硅单晶缺陷、金属杂质、晶体原生缺陷、表面颗粒尺寸和数量等技术指标,这些参数将直接影响半导体产品的成品率和性能。